Datasheet下载- 型号： FDS4435A
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDS4435A由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDS4435A价格参考￥3.26-￥8.64。Fairchild SemiconductorFDS4435A封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDS4435A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDS4435A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDS4435A 是由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一款 N 沤道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。其主要应用场景包括但不限于以下几个方面： 1. 开关电源 (SMPS) - FDS4435A 的低导通电阻（Rds(on)）特性使其非常适合用于开关电源中的功率开关。它能够高效地控制电流的通断，从而减少能量损耗并提高电源转换效率。 - 应用实例：笔记本电脑适配器、手机充电器、LED 驱动电源等。 2. 电机驱动 - 在小型直流电机或步进电机的驱动电路中，FDS4435A 可作为功率开关使用，用于控制电机的启动、停止和速度调节。 - 应用实例：风扇控制、玩具电机驱动、家用电器中的电机控制等。 3. 负载切换 - 该器件可用于各种负载切换应用，例如 USB 端口保护、电池充放电管理等。通过快速开启和关闭，确保系统的稳定性和安全性。 - 应用实例：移动设备电池管理、汽车电子系统中的负载切换等。 4. DC-DC 转换器 - 在 DC-DC 转换器中，FDS4435A 可用作同步整流器或主开关元件，以实现高效的电压转换。 - 应用实例：便携式电子产品、通信设备中的电压调节模块。 5. 电池保护与管理 - FDS4435A 的低导通电阻和高电流承载能力使其成为电池保护电路的理想选择，可以防止过流、短路等问题。 - 应用实例：锂离子电池组保护、UPS 系统中的电池管理。 6. 信号放大与缓冲 - 在一些需要信号放大的场合，FDS4435A 可用于构建简单的放大电路，适用于低频信号处理。 - 应用实例：音频信号放大、传感器信号调理等。 总结 FDS4435A 的典型应用场景集中在中小功率的电力电子领域，尤其是在需要高效开关、低功耗和可靠性能的场合。其紧凑的封装形式（如 SOIC-8 或更小封装）也使其非常适合空间受限的设计环境。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 9A 8-SOICMOSFET SO-8 P-CH -30V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 9 A |
| Id-连续漏极电流 | - 9 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDS4435APowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDS4435A |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 17 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 17 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 15 ns |
| 下降时间 | 55 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2010pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 30nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 17 毫欧 @ 9A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 其它名称 | FDS4435ACT |
| 典型关闭延迟时间 | 100 ns |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 单位重量 | 85 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 Narrow |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 25 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9A （Ta） |
| 系列 | FDS4435 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
| 零件号别名 | FDS4435A_NL |
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