ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > FDS2672
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Datasheet下载- 型号： FDS2672
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDS2672由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDS2672价格参考。Fairchild SemiconductorFDS2672封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 200V 3.9A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO。您可以下载FDS2672参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDS2672 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDS2672是由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一款单通道MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）。该器件属于N沟道增强型MOSFET，具有低导通电阻、快速开关速度和高耐压等特性，广泛应用于各种电力电子设备中。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理：FDS2672常用于DC-DC转换器、开关电源（SMPS）、线性稳压器等电源管理系统中。它能够高效地控制电流的通断，减少能量损耗，提高系统的整体效率。 2. 电机驱动：在无刷直流电机（BLDC）、步进电机和其他类型的电机驱动电路中，FDS2672可以作为功率级元件，实现对电机转速和方向的精确控制。其低导通电阻有助于降低发热，延长使用寿命。 3. 电池保护与充电管理：该MOSFET可用于锂电池、铅酸电池等储能系统的保护电路中，防止过充、过放及短路等情况发生。同时，在充电管理电路中，它可以充当开关或限流元件，确保安全可靠的充电过程。 4. 负载切换与保护：FDS2672适用于需要频繁进行负载切换的应用场景，如汽车电子、工业自动化设备等。通过快速响应外部信号，它可以迅速切断或接通电路，提供过流、过温等多重保护功能。 5. 通信与消费类电子产品：在手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式设备中，FDS2672可用于USB接口、音频放大器、LED背光驱动等模块，以优化电源分配并提升用户体验。 总之，FDS2672凭借其优异的电气性能，在众多领域展现出卓越的应用价值，成为现代电力电子设计中的重要选择之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-SOICMOSFET 200V 3.9A 70OHM NCH ULTRAFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3.9 A |
| Id-连续漏极电流 | 3.9 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDS2672UltraFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDS2672 |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 59 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 59 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 10 ns |
| 下降时间 | 10 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2535pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 46nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 70 毫欧 @ 3.9A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 其它名称 | FDS2672TR |
| 典型关闭延迟时间 | 35 ns |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 单位重量 | 187 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 Narrow |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,500 |
| 正向跨导-最小值 | 15 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.9A （Ta） |
| 系列 | FDS2672 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
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