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Datasheet下载- 型号： FDS2670
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDS2670由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDS2670价格参考。Fairchild SemiconductorFDS2670封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 200V 3A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO。您可以下载FDS2670参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDS2670 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDS2670 是一款由 ON Semiconductor 生产的 N 沟道 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），属于单个 FET 类别。它在多种应用场景中具有广泛的应用，特别是在需要高效、快速开关和低导通电阻 (Rds(on)) 的电路中表现出色。 主要应用场景： 1. 电源管理： - DC-DC 转换器：FDS2670 适用于各种 DC-DC 转换器，如降压、升压或升降压转换器。其低 Rds(on) 和快速开关特性有助于提高效率，减少功率损耗。 - 电池管理系统：用于电池充电和放电控制，确保电流平稳流动并保护电池免受过充或过放的影响。 2. 电机驱动： - 无刷直流电机 (BLDC)：FDS2670 可用于驱动 BLDC 电机，尤其是在电动工具、家电和工业自动化设备中。其快速开关速度和低导通电阻有助于提高电机效率和响应速度。 - 步进电机驱动：用于精确控制步进电机的电流，广泛应用于打印机、扫描仪和其他精密设备中。 3. 负载开关： - 便携式电子设备：如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中的负载开关，用于管理和分配电源，确保设备在不同工作模式下的稳定性和安全性。 - 汽车电子系统：用于汽车中的负载开关，控制灯光、音响系统等设备的电源供应，确保系统的可靠性和安全性。 4. 信号切换： - 高速信号切换：FDS2670 的快速开关特性使其适合用于高速信号切换应用，如数据通信设备中的信号路径切换，确保信号传输的准确性和稳定性。 5. 保护电路： - 过流保护：用于设计过流保护电路，防止电路因过载而损坏。FDS2670 的低导通电阻有助于减少发热，提高保护电路的可靠性。 - 短路保护：在发生短路时迅速切断电流路径，保护下游电路免受损害。 总之，FDS2670 凭借其出色的电气性能和可靠性，广泛应用于电源管理、电机驱动、负载开关、信号切换和保护电路等多种领域，特别适合对效率和响应速度有较高要求的应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 3A SO-8MOSFET SO-8 N-CH 200V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3 A |
| Id-连续漏极电流 | 3 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDS2670PowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDS2670 |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 130 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 130 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 8 ns |
| 下降时间 | 25 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1228pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 43nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 130 毫欧 @ 3A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | FDS2670-ND |
| 典型关闭延迟时间 | 30 ns |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 单位重量 | 187 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 Narrow |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,500 |
| 正向跨导-最小值 | 15 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3A （Ta） |
| 系列 | FDS2670 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
| 零件号别名 | FDS2670_NL |
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