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Datasheet下载- 型号： FDS2572
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDS2572由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDS2572价格参考。Fairchild SemiconductorFDS2572封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 150V 4.9A（Tc） 2.5W（Ta） 8-SO。您可以下载FDS2572参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDS2572 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDS2572 是由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一款 N 沟道 MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管），属于单个 FET 类别。该型号广泛应用于各种电力电子设备中，因其出色的电气性能和可靠性而备受青睐。 主要应用场景： 1. 电源管理： - 开关电源 (SMPS)：FDS2572 适用于高效能的开关电源设计，如笔记本电脑适配器、手机充电器等。其低导通电阻 (Rds(on)) 和快速开关特性有助于提高转换效率，减少能量损耗。 - 直流-直流转换器 (DC-DC Converter)：在需要高效电压转换的应用中，如汽车电子系统、工业控制设备等，FDS2572 可以作为同步整流器或主开关元件使用，确保稳定可靠的电力传输。 2. 电机驱动： - 无刷直流电机 (BLDC)：在电动工具、家用电器（如吸尘器、风扇）以及小型机器人等应用中，FDS2572 能够有效驱动电机，提供高精度的速度和扭矩控制。 - 步进电机驱动：用于打印机、3D 打印机等精密运动控制系统，FDS2572 的低功耗和高响应速度有助于提升系统的整体性能。 3. 负载切换与保护： - 电池管理系统 (BMS)：在锂电池保护电路中，FDS2572 可用于实现过流、短路保护功能，确保电池的安全性和长寿命。 - 热插拔控制器：在服务器、通信设备等场合，FDS2572 可以作为负载开关，防止电源瞬间冲击对系统造成损害。 4. 消费电子产品： - 便携式设备：如平板电脑、智能手表等，FDS2572 的小尺寸封装和低静态电流使其非常适合用于这些对空间和功耗要求严格的设备中。 - 音频放大器：在音响设备、耳机放大器等应用中，FDS2572 的线性模式工作能力可以提供高质量的音频信号放大。 总之，FDS2572 凭借其卓越的电气参数和广泛应用范围，在现代电子设计中扮演着重要角色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-SOICMOSFET 150V N-Ch UltraFET Trench |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 4.9 A |
| Id-连续漏极电流 | 4.9 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDS2572UltraFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDS2572 |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 47 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 47 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 150 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 150 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 4 ns |
| 下降时间 | 22 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2050pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 38nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 47 毫欧 @ 4.9A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 其它名称 | FDS2572TR |
| 典型关闭延迟时间 | 44 ns |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 单位重量 | 187 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 Narrow |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.9A （Tc） |
| 系列 | FDS2572 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
| 零件号别名 | FDS2572_NL |
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