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FDPF8N50NZ产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDPF8N50NZ由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDPF8N50NZ价格参考。Fairchild SemiconductorFDPF8N50NZ封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 500V 8A(Tc) 40.3W(Tc) TO-220F。您可以下载FDPF8N50NZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDPF8N50NZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDPF8N50NZ 是由 ON Semiconductor(现为安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)。它属于 FET 类中的单个 MOSFET,具有多种应用场景,尤其是在电力电子和工业控制领域。 主要参数: - 耐压:500V - 导通电阻 (Rds(on)):2.6Ω(在 Vgs = 10V 时) - 最大漏极电流 (Id):8A(在 25°C 时) - 封装类型:TO-220 应用场景: 1. 开关电源 (SMPS) - FDPF8N50NZ 的高耐压特性使其非常适合用于开关电源中的功率开关。它可以承受较高的电压波动,确保在恶劣的电气环境中稳定工作。该器件的低导通电阻有助于减少能量损耗,提高电源转换效率。 2. 电机驱动 - 在电机驱动应用中,MOSFET 被用作开关元件来控制电机的启动、停止和速度调节。FDPF8N50NZ 的快速开关特性和低导通电阻使得它能够高效地控制电机,同时减少发热,延长设备寿命。 3. 逆变器 - 逆变器将直流电转换为交流电,广泛应用于太阳能系统、不间断电源 (UPS) 等。FDPF8N50NZ 可以作为逆变器电路中的关键开关元件,帮助实现高效的 DC-AC 转换。 4. 电池管理系统 (BMS) - 在电池管理系统中,MOSFET 用于保护电池免受过充、过放和短路等故障的影响。FDPF8N50NZ 的高耐压和低导通电阻特性使其成为电池管理系统的理想选择,确保电池的安全和长寿命。 5. 家电与消费电子产品 - 在家电和消费电子产品中,如空调、洗衣机等,FDPF8N50NZ 可用于控制电机、风扇和其他负载的运行。其紧凑的 TO-220 封装便于安装,并且能够在高温环境下保持良好的性能。 总之,FDPF8N50NZ 凭借其高耐压、低导通电阻和快速开关特性,适用于各种需要高效、可靠电力控制的应用场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 500V 8A TO220FMOSFET UniFET2 500V N-chan |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 8 A |
Id-连续漏极电流 | 8 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDPF8N50NZUniFET™ |
数据手册 | |
产品型号 | FDPF8N50NZ |
PCN组件/产地 | |
Pd-PowerDissipation | 40.3 W |
Pd-功率耗散 | 40.3 W |
Qg-GateCharge | 14 nC |
Qg-栅极电荷 | 14 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 770 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 770 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 5 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 5 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 735pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 18nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 850 毫欧 @ 4A,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220F |
功率-最大值 | 40.3W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 2.270 g |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
封装/箱体 | TO-220FP-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 125 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 50 |
正向跨导-最小值 | 6.3 S |
漏源极电压(Vdss) | 500V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 8A (Tc) |
系列 | FDPF8N50NZ |