ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > FDPF770N15A
Datasheet下载- 型号： FDPF770N15A
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
FDPF770N15A产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDPF770N15A由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDPF770N15A价格参考。Fairchild SemiconductorFDPF770N15A封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 150V 10A（Tc） 21W（Tc） TO-220F-3。您可以下载FDPF770N15A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDPF770N15A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 150V 10A TO-220FMOSFET 150V NCHAN PwrTrench |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 10 A |
| Id-连续漏极电流 | 10 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDPF770N15APowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDPF770N15A |
| PCN封装 | |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 20 W |
| Pd-功率耗散 | 20 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 60 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 60 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 150 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 150 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 765pF @ 75V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 11.2nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 77 毫欧 @ 10A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220F |
| 功率-最大值 | 20W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 2.270 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-220FP-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 10A （Tc） |
| 系列 | FDPF770N15A |
