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Datasheet下载- 型号： FDPF33N25T
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDPF33N25T由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDPF33N25T价格参考。Fairchild SemiconductorFDPF33N25T封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 250V 33A（Tc） 37W（Tc） TO-220F。您可以下载FDPF33N25T参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDPF33N25T 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDPF33N25T 是由 ON Semiconductor 生产的单通道 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），属于 N 沟道增强型功率 MOSFET。这款晶体管具有 250V 的最大漏源电压 (VDS) 和 4.6A 的连续漏极电流 (ID)，适用于多种高功率和高压应用场景。 应用场景： 1. 开关电源 (SMPS)： FDPF33N25T 可用于开关电源中的功率转换电路，如 DC-DC 转换器、AC-DC 适配器等。其低导通电阻 (RDS(on)) 和快速开关特性有助于提高效率，减少能量损耗。 2. 电机控制： 在电机驱动应用中，该 MOSFET 可以用于控制电机的启动、停止和速度调节。其高耐压和大电流承载能力使其适合驱动中小型电机，广泛应用于家电、工业自动化等领域。 3. 电池管理系统 (BMS)： FDPF33N25T 可用于电池保护电路中，作为充放电路径的开关元件。它能够有效地防止过充、过放和短路等情况，确保电池的安全性和延长使用寿命。 4. 逆变器： 在太阳能逆变器和其他类型的逆变器中，该 MOSFET 可以用于将直流电转换为交流电。其高耐压特性和低导通电阻有助于提高逆变器的效率和可靠性。 5. 负载开关： 作为负载开关，FDPF33N25T 可以在电源管理和配电系统中使用，实现对不同负载的快速通断控制。其低导通电阻可以减少发热，提高系统的整体性能。 6. 汽车电子： 在汽车电子系统中，该 MOSFET 可用于车身控制模块、电动助力转向系统 (EPS)、LED 照明驱动等。其高可靠性和耐高温特性使其非常适合汽车环境下的应用。 7. 消费电子产品： FDPF33N25T 还可用于消费电子产品中的电源管理部分，如笔记本电脑适配器、智能家电等，提供高效的电源转换和保护功能。 总之，FDPF33N25T 凭借其出色的电气性能和可靠性，广泛应用于需要高效功率转换和控制的领域，特别是在需要处理较高电压和电流的应用中表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 250V 33A TO-220FMOSFET TBD |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 20 A |
| Id-连续漏极电流 | 20 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDPF33N25TUniFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDPF33N25T |
| PCN封装 | |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 37 W |
| Pd-功率耗散 | 37 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 77 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 77 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 250 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 250 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 230 ns |
| 下降时间 | 120 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2135pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 48nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 94 毫欧 @ 16.5A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220F |
| 典型关闭延迟时间 | 75 ns |
| 功率-最大值 | 37W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 2.270 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-220FP-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 26.6 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 250V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 33A （Tc） |
| 系列 | FDPF33N25 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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