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Datasheet下载- 型号： FDPF320N06L
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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FDPF320N06L产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDPF320N06L由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDPF320N06L价格参考。Fairchild SemiconductorFDPF320N06L封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 60V 21A（Tc） 26W（Tc） TO-220F。您可以下载FDPF320N06L参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDPF320N06L 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 21A TO-220FMOSFET 60V NCHAN PwrTrench |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 21 A |
| Id-连续漏极电流 | 21 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDPF320N06LPowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDPF320N06L |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 26 W |
| Pd-功率耗散 | 26 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 20 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 20 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1470pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 30.2nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 25 毫欧 @ 21A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220F |
| 功率-最大值 | 26W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 2.270 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-220FP-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 21A （Tc） |
| 系列 | FDPF320N06L |
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