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  • 型号: FDPF190N15A
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FDPF190N15A产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDPF190N15A由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDPF190N15A价格参考。Fairchild SemiconductorFDPF190N15A封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 150V 27.4A(Tc) 33W(Tc) TO-220F-3。您可以下载FDPF190N15A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDPF190N15A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 150V 27.4A TO-220FMOSFET 150V NCHAN PwrTrench

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

27.4 A

Id-连续漏极电流

27.4 A

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDPF190N15APowerTrench®

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产品型号

FDPF190N15A

PCN组件/产地

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Pd-PowerDissipation

33 W

Pd-功率耗散

33 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

14.7 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

14.7 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

150 V

Vds-漏源极击穿电压

150 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2685pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

39nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

19 毫欧 @ 27.4A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220F

功率-最大值

33W

包装

管件

单位重量

2.270 g

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3 整包

封装/箱体

TO-220FP-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

漏源极电压(Vdss)

150V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

27.4A (Tc)

系列

FDPF190N15A

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