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Datasheet下载- 型号： FDPF18N50T
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDPF18N50T由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDPF18N50T价格参考￥13.56-￥22.15。Fairchild SemiconductorFDPF18N50T封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 500V 18A（Tc） 38.5W（Tc） TO-220F。您可以下载FDPF18N50T参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDPF18N50T 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的FDPF18N50T是一款单通道MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），属于增强型N沟道功率MOSFET。其主要应用场景包括但不限于以下几类： 1. 开关电源（SMPS） FDPF18N50T具有较低的导通电阻（Rds(on)）和较高的击穿电压（V(BR)DSS = 500V），这使得它非常适合用于开关电源中的高频开关应用。它可以有效地降低开关损耗，提高电源转换效率。常见的应用包括AC-DC适配器、充电器以及工业电源等。 2. 电机驱动 该器件可以用于驱动各种类型的电机，如步进电机、直流无刷电机（BLDC）和有刷直流电机。其高耐压和低导通电阻特性有助于减少发热，提升电机驱动系统的可靠性和效率。特别是在需要频繁启停或调速的应用中，FDPF18N50T表现出色。 3. 逆变器 在太阳能逆变器和其他电力电子逆变器中，FDPF18N50T可用于实现DC-AC转换。它的快速开关特性和低损耗特性能够帮助提高逆变器的工作效率，减少能量损失。此外，它还可以用于电池管理系统（BMS）中的保护电路，防止过流、过压等问题。 4. 不间断电源（UPS） FDPF18N50T可以应用于不间断电源系统中，作为功率级的关键元件。它能够在市电中断时迅速切换到备用电源，确保负载设备的持续供电。其高可靠性设计使其能够在恶劣环境下长时间稳定工作。 5. 电动工具 对于电动工具如电钻、电锯等，FDPF18N50T可以用作主开关或辅助开关。它能够承受较大的电流冲击，并且具有良好的散热性能，保证了电动工具在高强度使用下的稳定性。 6. 电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV） 在电动汽车和混合动力汽车的车载充电器、DC-DC转换器以及牵引逆变器中，FDPF18N50T凭借其优异的电气性能和可靠性，成为理想的功率开关选择。 总之，FDPF18N50T凭借其出色的电气参数和广泛的适用性，在众多电力电子领域有着广泛的应用前景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 18A TO-220FMOSFET 500V N-Channel PowerTrenchAr MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 8 A |
| Id-连续漏极电流 | 8 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDPF18N50TUniFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDPF18N50T |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 38.5 W |
| Pd-功率耗散 | 38.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 265 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 265 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 165 ns |
| 下降时间 | 90 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2860pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 60nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 265 毫欧 @ 9A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220F |
| 典型关闭延迟时间 | 95 ns |
| 功率-最大值 | 38.5W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 2.270 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-220FP-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 25 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 18A （Tc） |
| 系列 | FDPF18N50 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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