【晶体管 - FET，MOSFET - 单_FDPF16N50UT】封装/厂家_FDPF16N50UT中文资料_价格

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型号： FDPF16N50UT
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FDPF16N50UT由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDPF16N50UT价格参考。Fairchild SemiconductorFDPF16N50UT封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，通孔 N 沟道 500V 15A（Tc） 38.5W（Tc） TO-220F-3。您可以下载FDPF16N50UT参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDPF16N50UT 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FDPF16N50UT 是由 ON Semiconductor 生产的单通道 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），属于 FET 类别。其主要应用场景包括但不限于以下几方面：

 1. 电源管理
FDPF16N50UT 可用于各种电源管理应用中，如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器等。该器件具有低导通电阻和高击穿电压（500V），能够有效减少功率损耗并提高转换效率。它适用于需要高效能、高可靠性的电源系统，例如工业电源、通信设备电源以及消费类电子产品的适配器。

 2. 电机控制
在电机驱动和控制系统中，FDPF16N50UT 可作为开关元件使用。它能够快速响应控制信号，实现对电机电流的精确控制。此外，该器件的高耐压特性使其适合应用于高压电机驱动场景，如电动工具、家用电器中的无刷直流电机（BLDC）驱动电路。

 3. 逆变器和变频器
FDPF16N50UT 在逆变器和变频器中有广泛应用。它可以用于将直流电转换为交流电，或者调节交流电的频率和电压。该器件的高击穿电压和快速开关特性使其能够在这些应用中表现出色，尤其适用于太阳能逆变器、风力发电逆变器以及工业变频器等。

 4. 保护电路
FDPF16N50UT 还可用于设计过流保护、短路保护等保护电路。其内置的栅极保护二极管可以防止静电放电（ESD）损坏，而其高耐压能力则有助于在异常情况下提供可靠的保护功能。该器件适用于需要高可靠性和安全性的应用，如汽车电子、工业自动化设备等。

 5. 脉宽调制（PWM）控制器
FDPF16N50UT 可用作 PWM 控制器中的开关元件。通过调节占空比，可以实现对负载电流或电压的精确控制。该器件的快速开关特性和低导通电阻使其成为 PWM 应用的理想选择，如 LED 驱动、风扇控制等。

总之，FDPF16N50UT 凭借其优异的电气性能和可靠性，在多种电力电子应用中发挥着重要作用，尤其是在需要高效能、高耐压和快速响应的应用场合。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	MOSFET N-CH 500V 15A TO-220F-3MOSFET 500V 15A N-Chan FRFET UniFET
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	15 A
Id-连续漏极电流	15 A
品牌	Fairchild Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDPF16N50UTUniFET™
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	FDPF16N50UT
PCN封装	点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	38.5 W
Pd-功率耗散	38.5 W
Qg-GateCharge	32 nC
Qg-栅极电荷	32 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	370 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	370 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	500 V
Vds-漏源极击穿电压	500 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	30 V
Vgs-栅源极击穿电压	30 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	5 V
Vgsth-栅源极阈值电压	5 V
上升时间	150 ns
下降时间	80 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	1945pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	45nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	480 毫欧 @ 7.5A，10V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	TO-220-3
典型关闭延迟时间	65 ns
功率-最大值	38.5W
包装	管件
单位重量	2.270 g
商标	Fairchild Semiconductor
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
导通电阻	370 mOhms
封装	Tube
封装/外壳	TO-220-3 全封装，成形引线
封装/箱体	TO-220-3
工厂包装数量	50
晶体管极性	N-Channel
标准包装	50
正向跨导-最小值	23 S
汲极/源极击穿电压	500 V
漏极连续电流	15 A
漏源极电压(Vdss)	500V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	15A （Tc）
系列	FDPF16N50