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Datasheet下载- 型号： FDPF16N50
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDPF16N50由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDPF16N50价格参考。Fairchild SemiconductorFDPF16N50封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 500V 16A（Tc） 38.5W（Tc） TO-220F。您可以下载FDPF16N50参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDPF16N50 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDPF16N50 是由 ON Semiconductor 生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），其主要应用场景包括但不限于以下几个方面： 1. 电源管理 FDPF16N50 具有低导通电阻和高击穿电压（500V），适用于各种开关电源（SMPS）设计。它能够承受较高的电压波动，适合用于工业级或消费级的电源转换器、适配器等设备中，确保系统在不同负载条件下稳定工作。 2. 电机驱动 该型号的 MOSFET 可用于驱动直流电机、步进电机和无刷直流电机（BLDC）。其快速开关特性和低损耗特性使得它在电机控制应用中表现出色，尤其适用于需要高效能和高可靠性的场合，如电动工具、家用电器和自动化控制系统。 3. 逆变器和太阳能系统 FDPF16N50 的高耐压能力使其成为光伏逆变器的理想选择。它可以有效地将直流电转换为交流电，适用于太阳能发电系统中的电力调节和传输。此外，它还可以用于不间断电源（UPS）系统，确保在电网故障时提供稳定的备用电源。 4. 保护电路 由于其高击穿电压和良好的过流保护性能，FDPF16N50 可以用作过压保护（OVP）、过流保护（OCP）和短路保护（SCP）电路的关键元件。它能够在异常情况下迅速切断电流路径，防止下游电路受损，广泛应用于汽车电子、通信设备和其他对可靠性要求较高的领域。 5. 脉宽调制（PWM）控制器 FDPF16N50 的快速开关速度和低栅极电荷特性使其非常适合用于 PWM 控制器中。它可以在高频下高效地切换状态，从而实现精确的电压和电流调节，常用于 LED 照明、音频放大器和其他需要精细调节的应用。 总的来说，FDPF16N50 凭借其出色的电气性能和可靠性，广泛应用于各类电力电子设备中，特别是在需要高效能、高耐压和快速响应的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 16A TO-220FMOSFET 500V N-CH MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 16 A |
| Id-连续漏极电流 | 16 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDPF16N50UniFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDPF16N50 |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 38.5 W |
| Pd-功率耗散 | 38.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 380 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 380 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 150 ns |
| 下降时间 | 80 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1945pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 45nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 380 毫欧 @ 8A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220F |
| 典型关闭延迟时间 | 65 ns |
| 功率-最大值 | 38.5W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 2.270 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-220FP-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 23 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 16A （Tc） |
| 系列 | FDPF16N50 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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