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  • 型号: FDPF12N50UT
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FDPF12N50UT产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDPF12N50UT由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDPF12N50UT价格参考。Fairchild SemiconductorFDPF12N50UT封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 500V 10A(Tc) 42W(Tc) TO-220F。您可以下载FDPF12N50UT参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDPF12N50UT 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 500V TO-220F-3MOSFET 500V 10A N-Chan Ultra FRFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

10 A

Id-连续漏极电流

10 A

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDPF12N50UTFRFET®

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产品型号

FDPF12N50UT

Pd-PowerDissipation

42 W

Pd-功率耗散

42 W

Qg-GateCharge

21 nC

Qg-栅极电荷

21 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

650 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

650 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

500 V

Vds-漏源极击穿电压

500 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

5 V

Vgsth-栅源极阈值电压

5 V

上升时间

45 ns

下降时间

35 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1395pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

30nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

800 毫欧 @ 5A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220-3

典型关闭延迟时间

60 ns

功率-最大值

42W

包装

管件

单位重量

2.270 g

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3 全封装,成形引线

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

标准包装

50

正向跨导-最小值

11 S

漏源极电压(Vdss)

500V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

10A (Tc)

系列

FDPF12N50

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