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Datasheet下载- 型号： FDPF12N50NZ
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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FDPF12N50NZ产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDPF12N50NZ由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDPF12N50NZ价格参考。Fairchild SemiconductorFDPF12N50NZ封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 500V 11.5A（Tc） 42W（Tc） TO-220F。您可以下载FDPF12N50NZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDPF12N50NZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的FDPF12N50NZ是一款N沟道增强型MOSFET晶体管，广泛应用于需要高效功率转换和控制的场景。其主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：该器件适用于各种开关模式电源设计，如AC-DC和DC-DC转换器。其低导通电阻（Rds(on)）和高击穿电压（V(BR)DSS = 500 V）使其能够在高压环境下保持高效运行，减少能量损耗。 2. 电机驱动：在工业自动化、家电及汽车电子中，FDPF12N50NZ可用于驱动直流电机或步进电机。它能够承受较高的电流峰值，并提供快速的开关速度，从而实现精确的速度控制和位置控制。 3. 逆变器与太阳能系统：这款MOSFET适合用于光伏逆变器和其他可再生能源系统的电力调节单元。它可以处理大功率输入输出变化，确保系统稳定性和效率，同时支持高频操作以减小滤波器尺寸。 4. 不间断电源（UPS）：在数据中心、通信基站等关键设施中，FDPF12N50NZ有助于构建可靠的UPS系统，为设备提供持续稳定的电力供应。其坚固耐用的特点也增强了整体系统的鲁棒性。 5. 电池管理系统（BMS）：对于电动汽车（EV）、储能装置等应用中的锂电池组保护电路，此MOSFET可以作为充放电路径上的开关元件，有效防止过充、过放以及短路等情况发生。 总之，FDPF12N50NZ凭借其出色的电气性能，在众多涉及功率管理、信号调理及保护功能的电子产品中扮演着重要角色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V TO-220FPMOSFET UNIFET2 500V N-CH MOSFET SINGLE GAGE |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 11.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 11.5 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDPF12N50NZUniFET-II™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDPF12N50NZ |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 42 W |
| Pd-功率耗散 | 42 W |
| Qg-GateCharge | 23 nC |
| Qg-栅极电荷 | 23 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 460 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 460 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3 V to 5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3 V to 5 V |
| 上升时间 | 50 ns |
| 下降时间 | 45 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1235pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 30nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 520 毫欧 @ 5.75A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220F |
| 典型关闭延迟时间 | 60 ns |
| 功率-最大值 | 42W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 2.270 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-220FP-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 12 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 11.5A （Tc） |
| 系列 | FDPF12N50 |
| 配置 | Single |
