【晶体管 - FET，MOSFET - 单_FDPF10N60NZ】封装/厂家_FDPF10N60NZ中文资料_价格

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型号： FDPF10N60NZ
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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FDPF10N60NZ产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FDPF10N60NZ由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDPF10N60NZ价格参考￥7.56-￥12.65。Fairchild SemiconductorFDPF10N60NZ封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，通孔 N 沟道 600V 10A（Tc） 38W（Tc） TO-220F。您可以下载FDPF10N60NZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDPF10N60NZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FMOSFET 600V N-Chan MOSFET UniFET-II
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	10 A
Id-连续漏极电流	10 A
品牌	Fairchild Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDPF10N60NZUniFET-II™
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	FDPF10N60NZ
PCN封装	点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	38 W
Pd-功率耗散	38 W
Qg-GateCharge	23 nC
Qg-栅极电荷	23 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	640 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	640 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	600 V
Vds-漏源极击穿电压	600 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	25 V
Vgs-栅源极击穿电压	25 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	5 V
Vgsth-栅源极阈值电压	5 V
上升时间	50 ns
下降时间	50 nS
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	1475pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	30nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	750 毫欧 @ 5A，10V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	TO-220F
功率-最大值	38W
包装	管件
单位重量	2.270 g
商标	Fairchild Semiconductor
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
封装	Tube
封装/外壳	TO-220-3 整包
封装/箱体	TO-220FP-3
工厂包装数量	50
晶体管极性	N-Channel
标准包装	50
正向跨导-最小值	14 S
漏源极电压(Vdss)	600V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	10A （Tc）
系列	FDPF10N60