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Datasheet下载- 型号： FDP75N08A
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDP75N08A由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDP75N08A价格参考。Fairchild SemiconductorFDP75N08A封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 75V 75A（Tc） 137W（Tc） TO-220-3。您可以下载FDP75N08A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDP75N08A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDP75N08A 是由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的单通道 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），属于 N 沟道增强型功率 MOSFET。其应用场景广泛，适用于多种电力电子设备和系统中。 1. 电源管理 FDP75N08A 常用于开关电源（SMPS）、直流-直流转换器（DC-DC Converter）等电源管理系统中。该器件具有低导通电阻（Rds(on)），在高电流条件下能够减少功耗，提高效率。它还具备快速开关特性，适合高频开关应用，有助于减小电源系统的体积和重量。 2. 电机驱动 在电机控制领域，FDP75N08A 可以作为电机驱动电路中的开关元件。它能够承受较大的电流波动，并且具有良好的热稳定性，适合应用于无刷直流电机（BLDC）、步进电机等的驱动电路中。此外，其低导通电阻也有助于降低电机运行时的发热，延长使用寿命。 3. 电池管理系统 FDP75N08A 也常用于电池管理系统（BMS）中，特别是在锂电池保护电路中。它可以作为充电/放电路径上的开关，确保电池在安全范围内工作。通过精确控制MOSFET的开关状态，可以防止过充、过放等问题，保障电池的安全性和可靠性。 4. 工业自动化 在工业自动化设备中，FDP75N08A 可用于各种传感器、执行器的驱动电路中。例如，在可编程逻辑控制器（PLC）中，它可以用作输出级的开关，控制电磁阀、继电器等负载。其高可靠性和耐用性使其能够在恶劣的工业环境中稳定工作。 5. 消费电子产品 FDP75N08A 还广泛应用于消费电子产品中，如笔记本电脑、平板电脑、智能手机的充电接口保护电路中。它可以有效防止过流、短路等情况的发生，保护设备免受损坏。 总之，FDP75N08A 凭借其优异的电气性能和可靠性，成为众多电力电子应用的理想选择，特别适用于需要高效、低损耗、快速响应的场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 75V 75A TO-220MOSFET 75V N-Channel MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 75 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDP75N08AUniFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDP75N08A |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 137 W |
| Pd-功率耗散 | 137 W |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 11 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 75 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 212 ns |
| 下降时间 | 147 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4468pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 104nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 11 毫欧 @ 37.5A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 典型关闭延迟时间 | 273 ns |
| 功率-最大值 | 137W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 1.800 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 11 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 75 V |
| 漏极连续电流 | 75 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 75V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 75A （Tc） |
| 系列 | FDP75N08 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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