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  • 型号: FDP61N20
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FDP61N20产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDP61N20由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDP61N20价格参考。Fairchild SemiconductorFDP61N20封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 200V 61A(Tc) 417W(Tc) TO-220-3。您可以下载FDP61N20参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDP61N20 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FDP61N20是一种N沟道功率MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),其主要特点是低导通电阻和高耐压能力。这种元器件广泛应用于多种电力电子设备中,尤其适用于需要高效开关和低损耗的场合。以下是FDP61N20的一些典型应用场景:

 1. 电源管理
FDP61N20常用于开关电源、DC-DC转换器等电源管理系统中。由于其低导通电阻(Rds(on)),可以在高频开关状态下保持较低的功耗,从而提高电源转换效率。它能够承受较高的电压(最大耐压可达60V),适合于汽车电子、工业电源等高压环境。

 2. 电机驱动
在电机驱动电路中,FDP61N20可以用作功率开关,控制电机的启动、停止和调速。它的快速开关特性和低导通损耗有助于减少电机驱动系统的发热问题,延长系统寿命。此外,FDP61N20的高电流承载能力(最大连续漏极电流可达94A)使其适用于大功率电机的应用。

 3. 负载切换
FDP61N20可以用于负载切换电路,如电池管理系统中的负载保护电路。通过控制MOSFET的导通和关断状态,可以实现对负载的有效管理和保护,防止过流、短路等问题。其低导通电阻特性使得在负载切换过程中产生的热量较少,提高了系统的可靠性和安全性。

 4. 逆变器
在太阳能逆变器和其他类型的逆变器中,FDP61N20可以用作功率开关,将直流电转换为交流电。它的高耐压和低导通电阻特性使得它能够在逆变器中高效工作,减少能量损失,提升逆变器的整体性能。

 5. LED驱动
FDP61N20也适用于LED驱动电路,尤其是在大功率LED照明系统中。它可以作为开关元件,精确控制LED的电流和亮度,同时降低驱动电路的功耗。其快速开关特性还可以用于PWM(脉宽调制)调光,实现无闪烁的亮度调节。

 总结
FDP61N20凭借其低导通电阻、高耐压和快速开关特性,广泛应用于电源管理、电机驱动、负载切换、逆变器和LED驱动等领域。它在这些应用中不仅能够提高系统的效率,还能增强系统的可靠性和安全性。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 200V 61A TO-220MOSFET 200V N-Channel MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

61 A

Id-连续漏极电流

61 A

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDP61N20UniFET™

数据手册

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产品型号

FDP61N20

PCN组件/产地

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Pd-PowerDissipation

417 W

Pd-功率耗散

417 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

41 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

41 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

200 V

Vds-漏源极击穿电压

200 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

上升时间

215 ns

下降时间

170 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

3380pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

75nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

41 毫欧 @ 30.5A,10V

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220

典型关闭延迟时间

125 ns

功率-最大值

417W

包装

管件

单位重量

1.800 g

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

400

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

正向跨导-最小值

44.5 S

漏源极电压(Vdss)

200V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

61A (Tc)

系列

FDP61N20

通道模式

Enhancement

配置

Single

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