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FDP61N20产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDP61N20由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDP61N20价格参考。Fairchild SemiconductorFDP61N20封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 200V 61A(Tc) 417W(Tc) TO-220-3。您可以下载FDP61N20参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDP61N20 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的FDP61N20是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于多种电力电子设备中。其主要应用场景包括但不限于以下几种: 1. 电源管理 FDP61N20常用于开关电源(SMPS)的设计中,作为主开关管或同步整流管。它具有低导通电阻(Rds(on)),能够有效降低导通损耗,提高电源转换效率。适用于AC-DC适配器、充电器、LED驱动电源等场景。 2. 电机驱动 在电机控制领域,FDP61N20可用于驱动直流无刷电机(BLDC)、步进电机等。通过PWM调制信号控制MOSFET的开关状态,实现对电机转速和扭矩的精确控制。其快速开关特性和低损耗特性使其在电动工具、家电电机等领域表现出色。 3. 电池管理系统(BMS) 在电池管理系统中,FDP61N20可以作为充放电控制开关,确保电池的安全运行。它能够在过流、短路等异常情况下迅速切断电路,保护电池免受损坏。此外,其低导通电阻有助于减少电池内阻,延长电池寿命。 4. 逆变器 FDP61N20也可用于光伏逆变器、UPS不间断电源等设备中。它能够将直流电转换为交流电,支持太阳能发电系统的并网操作。其高耐压(200V)和快速开关速度使得它在高频逆变应用中具有优势。 5. 工业自动化 在工业自动化控制系统中,FDP61N20可用于驱动电磁阀、继电器等执行机构。它能够承受较大的电流冲击,并且具有良好的热稳定性,适合在恶劣的工业环境中使用。 6. 消费电子产品 在消费电子产品中,如笔记本电脑、平板电脑等便携式设备的电源管理系统中,FDP61N20可以用于电压调节和负载切换。其紧凑的封装形式(TO-220)使其易于集成到小型化设计中。 总之,FDP61N20凭借其出色的电气性能和可靠性,成为许多电力电子应用中的理想选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 200V 61A TO-220MOSFET 200V N-Channel MOSFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 61 A |
Id-连续漏极电流 | 61 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDP61N20UniFET™ |
数据手册 | |
产品型号 | FDP61N20 |
PCN组件/产地 | |
Pd-PowerDissipation | 417 W |
Pd-功率耗散 | 417 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 41 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 41 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
上升时间 | 215 ns |
下降时间 | 170 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3380pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 75nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 41 毫欧 @ 30.5A,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220 |
典型关闭延迟时间 | 125 ns |
功率-最大值 | 417W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 1.800 g |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 400 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 50 |
正向跨导-最小值 | 44.5 S |
漏源极电压(Vdss) | 200V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 61A (Tc) |
系列 | FDP61N20 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |