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  • 型号: FDP61N20
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FDP61N20产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDP61N20由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDP61N20价格参考。Fairchild SemiconductorFDP61N20封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 200V 61A(Tc) 417W(Tc) TO-220-3。您可以下载FDP61N20参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDP61N20 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ON Semiconductor的FDP61N20是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于多种电力电子设备中。其主要应用场景包括但不限于以下几种:

 1. 电源管理
   FDP61N20常用于开关电源(SMPS)的设计中,作为主开关管或同步整流管。它具有低导通电阻(Rds(on)),能够有效降低导通损耗,提高电源转换效率。适用于AC-DC适配器、充电器、LED驱动电源等场景。

 2. 电机驱动
   在电机控制领域,FDP61N20可用于驱动直流无刷电机(BLDC)、步进电机等。通过PWM调制信号控制MOSFET的开关状态,实现对电机转速和扭矩的精确控制。其快速开关特性和低损耗特性使其在电动工具、家电电机等领域表现出色。

 3. 电池管理系统(BMS)
   在电池管理系统中,FDP61N20可以作为充放电控制开关,确保电池的安全运行。它能够在过流、短路等异常情况下迅速切断电路,保护电池免受损坏。此外,其低导通电阻有助于减少电池内阻,延长电池寿命。

 4. 逆变器
   FDP61N20也可用于光伏逆变器、UPS不间断电源等设备中。它能够将直流电转换为交流电,支持太阳能发电系统的并网操作。其高耐压(200V)和快速开关速度使得它在高频逆变应用中具有优势。

 5. 工业自动化
   在工业自动化控制系统中,FDP61N20可用于驱动电磁阀、继电器等执行机构。它能够承受较大的电流冲击,并且具有良好的热稳定性,适合在恶劣的工业环境中使用。

 6. 消费电子产品
   在消费电子产品中,如笔记本电脑、平板电脑等便携式设备的电源管理系统中,FDP61N20可以用于电压调节和负载切换。其紧凑的封装形式(TO-220)使其易于集成到小型化设计中。

总之,FDP61N20凭借其出色的电气性能和可靠性,成为许多电力电子应用中的理想选择。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 200V 61A TO-220MOSFET 200V N-Channel MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

61 A

Id-连续漏极电流

61 A

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDP61N20UniFET™

数据手册

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产品型号

FDP61N20

PCN组件/产地

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Pd-PowerDissipation

417 W

Pd-功率耗散

417 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

41 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

41 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

200 V

Vds-漏源极击穿电压

200 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

上升时间

215 ns

下降时间

170 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

3380pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

75nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

41 毫欧 @ 30.5A,10V

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220

典型关闭延迟时间

125 ns

功率-最大值

417W

包装

管件

单位重量

1.800 g

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

400

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

正向跨导-最小值

44.5 S

漏源极电压(Vdss)

200V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

61A (Tc)

系列

FDP61N20

通道模式

Enhancement

配置

Single

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