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  • 型号: FDP5N50NZ
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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FDP5N50NZ产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDP5N50NZ由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDP5N50NZ价格参考。Fairchild SemiconductorFDP5N50NZ封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 500V 4.5A(Tc) 78W(Tc) TO-220-3。您可以下载FDP5N50NZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDP5N50NZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220MOSFET N-Chan UniFET2 500V

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

4.5 A

Id-连续漏极电流

4.5 A

品牌

Fairchild Semiconductor

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rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDP5N50NZUniFET-II™

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产品型号

FDP5N50NZ

PCN封装

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PCN组件/产地

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Pd-PowerDissipation

78 W

Pd-功率耗散

78 W

Qg-GateCharge

9 nC

Qg-栅极电荷

9 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

1.38 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

1.38 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

500 V

Vds-漏源极击穿电压

500 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

25 V

Vgs-栅源极击穿电压

25 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

5 V

Vgsth-栅源极阈值电压

5 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

440pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

12nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

1.5 欧姆 @ 2.25A,10V

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220

功率-最大值

78W

包装

管件

单位重量

1.800 g

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 125 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

正向跨导-最小值

3.54 S

漏源极电压(Vdss)

500V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

4.5A (Tc)

系列

FDP5N50

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