ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > FDP5N50NZ
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
FDP5N50NZ产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDP5N50NZ由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDP5N50NZ价格参考。Fairchild SemiconductorFDP5N50NZ封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 500V 4.5A(Tc) 78W(Tc) TO-220-3。您可以下载FDP5N50NZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDP5N50NZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220MOSFET N-Chan UniFET2 500V |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 4.5 A |
Id-连续漏极电流 | 4.5 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDP5N50NZUniFET-II™ |
数据手册 | |
产品型号 | FDP5N50NZ |
PCN封装 | |
PCN组件/产地 | |
Pd-PowerDissipation | 78 W |
Pd-功率耗散 | 78 W |
Qg-GateCharge | 9 nC |
Qg-栅极电荷 | 9 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.38 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 1.38 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 5 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 5 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 440pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.5 欧姆 @ 2.25A,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220 |
功率-最大值 | 78W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 1.800 g |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 125 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 50 |
正向跨导-最小值 | 3.54 S |
漏源极电压(Vdss) | 500V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 4.5A (Tc) |
系列 | FDP5N50 |