ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > FDP52N20
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Datasheet下载- 型号： FDP52N20
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDP52N20由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDP52N20价格参考￥6.94-￥16.61。Fairchild SemiconductorFDP52N20封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 200V 52A（Tc） 357W（Tc） TO-220-3。您可以下载FDP52N20参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDP52N20 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDP52N20 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET/MOSFET - 单一类别。它具有 200V 的耐压能力、低导通电阻以及良好的开关性能，适用于多种电力电子应用场景。以下是其主要的应用场景： 1. 开关电源 (SMPS) FDP52N20 可用作开关电源中的主开关管或同步整流管。其高耐压和低导通电阻特性使其适合在 DC-DC 转换器、AC-DC 适配器以及 PFC（功率因数校正）电路中使用。 2. 电机驱动 在中小功率电机驱动应用中，FDP52N20 可用于控制电机的启动、停止和速度调节。例如，它可以应用于家用电器（如风扇、水泵）或工业设备中的无刷直流电机（BLDC）驱动电路。 3. 逆变器 FDP52N20 适合用于小型太阳能逆变器或其他类型的逆变器中，作为功率开关器件。其快速开关能力和高耐压特性能够满足逆变器对效率和可靠性的要求。 4. 负载切换与保护 在需要频繁切换负载的电路中，FDP52N20 可以充当电子开关，实现负载的接通和断开。此外，它还可以用于过流保护、短路保护等电路设计中。 5. 电池管理系统 (BMS) 在电池管理系统中，FDP52N20 可用于控制电池组的充放电路径，确保电池的安全运行。其低导通电阻有助于减少能量损耗，提高系统效率。 6. 汽车电子 该 MOSFET 可应用于汽车电子领域，例如车窗升降器、座椅调节器、雨刷控制器等需要功率开关的场合。其高可靠性也使其适合恶劣的工作环境。 总之，FDP52N20 凭借其高性能参数和稳定性，广泛适用于消费电子、工业控制、通信设备及汽车电子等领域，特别适合需要高效功率转换和可靠开关操作的应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 52A TO-220MOSFET 200V N-CHANNEL MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 52 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDP52N20UniFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDP52N20 |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 357 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 49 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| 上升时间 | 175 ns |
| 下降时间 | 29 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2900pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 63nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 49 毫欧 @ 26A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 典型关闭延迟时间 | 48 ns |
| 功率-最大值 | 357W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 1.800 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 35 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 52A （Tc） |
| 系列 | FDP52N20 |
| 配置 | Single |
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