ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > FDP3652
Datasheet下载- 型号： FDP3652
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDP3652由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDP3652价格参考。Fairchild SemiconductorFDP3652封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 100V 9A（Ta），61A（Tc） 150W（Tc） TO-220-3。您可以下载FDP3652参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDP3652 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDP3652是ON Semiconductor（安森美半导体）生产的单个MOSFET晶体管，具体为N沟道增强型MOSFET。该型号具有低导通电阻和快速开关特性，适用于多种应用场景，尤其在高效能、高频率的电力电子设备中表现优异。 主要应用场景 1. 电源管理： - DC-DC转换器：FDP3652因其低导通电阻（Rds(on)）和快速开关速度，非常适合用于DC-DC转换器中的同步整流电路。它能够有效降低功率损耗，提高转换效率。 - 开关电源（SMPS）：在开关电源设计中，FDP3652可以作为主开关管或辅助开关管，帮助实现高效的电压转换和电流控制。 2. 电机驱动： - 无刷直流电机（BLDC）：FDP3652可用于BLDC电机的逆变器电路中，提供高效且可靠的电流驱动，支持电机的平稳运行和精确控制。 - 步进电机驱动：在步进电机驱动器中，FDP3652能够实现快速响应和低发热，确保电机在不同负载条件下的稳定工作。 3. 电池管理系统（BMS）： - 充放电保护：FDP3652可用于电池组的充放电保护电路中，通过快速开关特性，防止过充、过放及短路等异常情况，保护电池安全。 - 电量监测：其低导通电阻有助于减少测量误差，提高电量监测的精度。 4. 消费电子产品： - 智能手机和平板电脑：FDP3652可应用于这些设备的电源管理和充电电路中，确保设备在高效供电的同时保持低功耗。 - 便携式设备：如智能手表、耳机等小型设备，FDP3652的小封装和高效性能使其成为理想选择。 5. 工业自动化： - 传感器接口：FDP3652可用于工业传感器的信号调理电路中，提供稳定的电流输出和快速响应。 - PLC控制系统：在可编程逻辑控制器（PLC）中，FDP3652可以作为输出驱动元件，控制外部负载，如继电器、指示灯等。 总之，FDP3652凭借其优异的电气特性和可靠性，广泛应用于各种需要高效功率控制和快速响应的场景中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 61A TO-220ABMOSFET 100V 61a 0.016 Ohm |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 61 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDP3652PowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDP3652 |
| Pd-PowerDissipation | 150 W |
| Pd-功率耗散 | 150 W |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 14 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 85 ns |
| 下降时间 | 45 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2880pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 53nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 16 毫欧 @ 61A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 典型关闭延迟时间 | 26 ns |
| 功率-最大值 | 150W |
| 包装 | 散装 |
| 单位重量 | 1.800 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 14 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 400 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 100 V |
| 漏极连续电流 | 61 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9A （Ta）， 61A （Tc） |
| 系列 | FDP3652 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | FDP3652_NL |
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