ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > FDP26N40
Datasheet下载- 型号： FDP26N40
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDP26N40由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDP26N40价格参考。Fairchild SemiconductorFDP26N40封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 400V 26A（Tc） 265W（Tc） TO-220-3。您可以下载FDP26N40参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDP26N40 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的FDP26N40是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），广泛应用于各种电力电子设备中。其主要应用场景包括但不限于以下几个方面： 1. 开关电源（SMPS）：FDP26N40常用于开关电源中的功率开关，能够高效地控制电流的通断，适用于笔记本电脑适配器、手机充电器等便携式设备的电源管理。 2. 电机驱动：该型号MOSFET在电机驱动电路中表现优异，特别是在直流无刷电机（BLDC）和步进电机的驱动中，可以实现高效的电流控制和快速响应，适用于电动工具、家用电器及工业自动化设备。 3. 不间断电源（UPS）：在UPS系统中，FDP26N40用于逆变器部分，帮助将直流电转换为交流电，确保在市电中断时能持续供电，保障关键设备的正常运行。 4. 电池管理系统（BMS）：FDP26N40可用于电池组的充放电保护电路中，通过精确控制电流路径，防止过充、过放及短路等情况发生，提高电池的安全性和使用寿命。 5. 汽车电子：在汽车电子领域，如车载充电器、LED车灯驱动、电动助力转向系统（EPS）等应用中，FDP26N40凭借其低导通电阻和高耐压特性，能够在严苛的工作环境下稳定工作。 6. 光伏逆变器：太阳能光伏发电系统中的逆变器需要高效的功率器件来完成最大功率点跟踪（MPPT）功能，FDP26N40可作为关键组件之一，优化能量转换效率。 总之，FDP26N40凭借其出色的电气性能和可靠性，在多个行业和应用场景中发挥着重要作用，是电力电子设计中的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 400V 26A TO-220MOSFET 400V N-Channel |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 26 A |
| Id-连续漏极电流 | 26 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDP26N40UniFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDP26N40 |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 265 W |
| Pd-功率耗散 | 265 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 160 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 160 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 400 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 400 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 100 ns |
| 下降时间 | 66 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3185pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 60nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 160 毫欧 @ 13A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 典型关闭延迟时间 | 115 ns |
| 功率-最大值 | 265W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 1.800 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 400V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 26A （Tc） |
| 系列 | FDP26N40 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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