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FDP2614产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDP2614由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDP2614价格参考。Fairchild SemiconductorFDP2614封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 200V 62A(Tc) 260W(Tc) TO-220-3。您可以下载FDP2614参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDP2614 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDP2614 是由 ON Semiconductor 生产的 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),主要应用于高效能功率转换和开关电路中。该器件具有低导通电阻(Rds(on))、快速开关速度和高电流承载能力,适用于多种电力电子应用场景。 应用场景: 1. 电源管理: - FDP2614 常用于开关电源(SMPS)和直流-直流转换器(DC-DC Converter)中,作为主开关管或同步整流管。其低导通电阻有助于减少传导损耗,提高电源效率。 2. 电机驱动: - 在无刷直流电机(BLDC)和其他电机驱动应用中,FDP2614 可用于驱动电路中的功率级,实现高效的电机控制和调速功能。 3. 电池管理系统(BMS): - 该器件可用于电池保护电路中,作为充放电路径的开关,确保电池在安全范围内工作,防止过充、过放等问题。 4. 负载开关: - FDP2614 可用作负载开关,实现对不同负载的快速切换和保护,广泛应用于消费电子设备、工业控制系统等场景。 5. LED 驱动: - 在 LED 照明系统中,FDP2614 可用于恒流源电路或 PWM 调光电路,提供稳定的电流输出,确保 LED 的亮度和寿命。 6. 通信设备: - 在通信基站、路由器等设备中,FDP2614 可用于电源模块和信号调理电路,保证设备的稳定运行和高效能量传输。 7. 汽车电子: - 在汽车电子系统中,如车载充电器、电动助力转向系统(EPS)等,FDP2614 可用于各种功率管理和驱动电路,满足汽车行业对可靠性和性能的要求。 总之,FDP2614 凭借其优异的电气特性和可靠性,在广泛的电力电子应用中发挥着重要作用,特别适合需要高效、紧凑设计的场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 200V 62A TO-220MOSFET 200V N-Channel PowerTrench |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 62 A |
Id-连续漏极电流 | 62 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDP2614PowerTrench® |
数据手册 | |
产品型号 | FDP2614 |
PCN封装 | |
Pd-PowerDissipation | 260 W |
Pd-功率耗散 | 260 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 27 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 27 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
上升时间 | 284 ns |
下降时间 | 162 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7230pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 99nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 27 毫欧 @ 31A,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220 |
其它名称 | FDP2614-ND |
典型关闭延迟时间 | 103 ns |
功率-最大值 | 260W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 1.800 g |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 50 |
漏源极电压(Vdss) | 200V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 62A (Tc) |
系列 | FDP2614 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |