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  • 型号: FDP2614
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FDP2614产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDP2614由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDP2614价格参考。Fairchild SemiconductorFDP2614封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 200V 62A(Tc) 260W(Tc) TO-220-3。您可以下载FDP2614参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDP2614 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FDP2614 是由 ON Semiconductor 生产的 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),主要应用于高效能功率转换和开关电路中。该器件具有低导通电阻(Rds(on))、快速开关速度和高电流承载能力,适用于多种电力电子应用场景。

应用场景:

1. 电源管理:
   - FDP2614 常用于开关电源(SMPS)和直流-直流转换器(DC-DC Converter)中,作为主开关管或同步整流管。其低导通电阻有助于减少传导损耗,提高电源效率。
   
2. 电机驱动:
   - 在无刷直流电机(BLDC)和其他电机驱动应用中,FDP2614 可用于驱动电路中的功率级,实现高效的电机控制和调速功能。

3. 电池管理系统(BMS):
   - 该器件可用于电池保护电路中,作为充放电路径的开关,确保电池在安全范围内工作,防止过充、过放等问题。

4. 负载开关:
   - FDP2614 可用作负载开关,实现对不同负载的快速切换和保护,广泛应用于消费电子设备、工业控制系统等场景。

5. LED 驱动:
   - 在 LED 照明系统中,FDP2614 可用于恒流源电路或 PWM 调光电路,提供稳定的电流输出,确保 LED 的亮度和寿命。

6. 通信设备:
   - 在通信基站、路由器等设备中,FDP2614 可用于电源模块和信号调理电路,保证设备的稳定运行和高效能量传输。

7. 汽车电子:
   - 在汽车电子系统中,如车载充电器、电动助力转向系统(EPS)等,FDP2614 可用于各种功率管理和驱动电路,满足汽车行业对可靠性和性能的要求。

总之,FDP2614 凭借其优异的电气特性和可靠性,在广泛的电力电子应用中发挥着重要作用,特别适合需要高效、紧凑设计的场合。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 200V 62A TO-220MOSFET 200V N-Channel PowerTrench

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

62 A

Id-连续漏极电流

62 A

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDP2614PowerTrench®

数据手册

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产品型号

FDP2614

PCN封装

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Pd-PowerDissipation

260 W

Pd-功率耗散

260 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

27 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

27 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

200 V

Vds-漏源极击穿电压

200 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

上升时间

284 ns

下降时间

162 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

7230pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

99nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

27 毫欧 @ 31A,10V

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220

其它名称

FDP2614-ND
FDP2614FS

典型关闭延迟时间

103 ns

功率-最大值

260W

包装

管件

单位重量

1.800 g

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

漏源极电压(Vdss)

200V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

62A (Tc)

系列

FDP2614

通道模式

Enhancement

配置

Single

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