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详细数据请看参考数据手册

型号： FDP2532
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FDP2532由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDP2532价格参考。Fairchild SemiconductorFDP2532封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，通孔 N 沟道 150V 8A（Ta），79A（Tc） 310W（Tc） TO-220-3。您可以下载FDP2532参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDP2532 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FDP2532 是 ON Semiconductor 生产的一款 N 沟道功率 MOSFET，主要应用于需要高效开关和低导通电阻的场景。其典型应用场景包括：

1. 电源管理：
   - 用于 DC-DC 转换器、开关电源（SMPS）和电压调节模块（VRM）。由于 FDP2532 具有低导通电阻（Rds(on)），可以在高电流条件下保持较低的功耗，提高整体效率。
   
2. 电机控制：
   - 在无刷直流电机（BLDC）驱动器中，FDP2532 可以作为逆变器桥的一部分，用于精确控制电机的速度和方向。其快速开关特性和低损耗有助于减少发热并提高电机性能。

3. 电池管理系统（BMS）：
   - 在锂电池保护电路中，FDP2532 可以用作充放电路径的开关，确保电池在安全范围内工作。其低导通电阻减少了电池内阻，延长了电池寿命。

4. 负载切换：
   - 在消费电子设备如智能手机、平板电脑和其他便携式设备中，FDP2532 可用于负载切换，实现快速、可靠的电源切换，同时减少开关过程中的能量损失。

5. 工业自动化：
   - 在工业控制系统中，FDP2532 可以用于驱动电磁阀、继电器等执行机构，提供高效、稳定的开关控制，确保系统的可靠运行。

6. 汽车电子：
   - 在汽车应用中，如电动助力转向系统（EPS）、车载充电器（OBC）和 LED 照明系统中，FDP2532 的高温稳定性和低损耗特性使其成为理想的选择。

总之，FDP2532 凭借其低导通电阻、快速开关速度和高耐压能力，在各种电力电子应用中表现出色，特别适合需要高效能和高可靠性的场合。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N-CH 150V 79A TO-220ABMOSFET 150V NCh UltraFET Power Trench
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	79 A
Id-连续漏极电流	79 A
品牌	Fairchild Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDP2532PowerTrench®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet 点击此处下载产品Datasheet
产品型号	FDP2532
PCN封装	点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	310 W
Pd-功率耗散	310 W
RdsOn-Drain-SourceResistance	16 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	16 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	150 V
Vds-漏源极击穿电压	150 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
上升时间	30 ns
下降时间	17 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	5870pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	107nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	16 毫欧 @ 33A，10V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	TO-220AB
典型关闭延迟时间	39 ns
功率-最大值	310W
包装	管件
单位重量	1.800 g
商标	Fairchild Semiconductor
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
封装	Tube
封装/外壳	TO-220-3
封装/箱体	TO-220-3
工厂包装数量	50
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 175 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	50
漏源极电压(Vdss)	150V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	8A （Ta）， 79A （Tc）
系列	FDP2532
通道模式	Enhancement
配置	Single
零件号别名	FDP2532_NL