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FDP18N50产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDP18N50由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDP18N50价格参考。Fairchild SemiconductorFDP18N50封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 500V 18A(Tc) 235W(Tc) TO-220-3。您可以下载FDP18N50参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDP18N50 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的FDP18N50是一款单通道MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管),具体为N沟道增强型MOSFET。这款器件具有高耐压、低导通电阻和快速开关特性,适用于多种电力电子应用。 主要应用场景 1. 开关电源 (SMPS) FDP18N50广泛应用于开关电源中,特别是在高频DC-DC转换器、反激式变换器和正激式变换器等拓扑结构中。其高耐压能力(500V)和低导通电阻(Rds(on) = 0.7Ω @ Vgs=10V)使其能够在高压环境下高效工作,减少功率损耗并提高整体效率。 2. 电机驱动 在电机驱动应用中,FDP18N50可用于控制直流电机或步进电机的启停及转向。其快速开关特性和低导通电阻有助于降低发热,提高系统的响应速度和可靠性。 3. 电磁兼容性 (EMC) 滤波 在需要抑制电磁干扰的应用中,FDP18N50可以用作滤波电路中的开关元件。它能够快速响应并有效滤除高频噪声,确保系统在复杂电磁环境中稳定运行。 4. 太阳能逆变器 太阳能光伏发电系统中的逆变器部分,FDP18N50可以作为功率开关使用。其高耐压和低损耗特性有助于提高逆变器的转换效率,延长系统的使用寿命。 5. 不间断电源 (UPS) 在不间断电源系统中,FDP18N50用于电池充放电管理、电压调节以及保护电路。它能够承受较大的电流波动,确保在市电中断时提供稳定的备用电源。 6. 工业自动化 工业自动化设备如PLC、伺服驱动器等常采用FDP18N50进行信号隔离和功率放大。其可靠的性能和耐用性使得这些设备能够在恶劣的工作环境中长期稳定运行。 总之,FDP18N50凭借其优异的电气参数和稳定性,在各类电力电子应用中表现出色,特别适合于对可靠性和效率要求较高的场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 500V 18A TO-220MOSFET 500V N-Channel PowerTrenchAr MOSFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 8 A |
Id-连续漏极电流 | 8 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDP18N50UniFET™ |
数据手册 | |
产品型号 | FDP18N50 |
PCN封装 | |
Pd-PowerDissipation | 38.5 W |
Pd-功率耗散 | 38.5 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 265 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 265 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
上升时间 | 165 ns |
下降时间 | 90 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2860pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 60nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 265 毫欧 @ 9A,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220 |
典型关闭延迟时间 | 95 ns |
功率-最大值 | 235W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 1.800 g |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 50 |
正向跨导-最小值 | 25 S |
漏源极电压(Vdss) | 500V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 9A (Tc) |
系列 | FDP18N50 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |