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FDP18N50产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDP18N50由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDP18N50价格参考。Fairchild SemiconductorFDP18N50封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 500V 18A(Tc) 235W(Tc) TO-220-3。您可以下载FDP18N50参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDP18N50 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDP18N50是一种N沟道增强型MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),其主要应用场景包括但不限于以下几种: 1. 电源管理与转换 FDP18N50广泛应用于各种电源管理系统中,如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、逆变器等。它具有低导通电阻(Rds(on))和快速开关特性,能够有效减少功率损耗,提高电源转换效率。在这些应用中,FDP18N50可以作为主开关管或同步整流管,帮助实现高效、稳定的电源输出。 2. 电机驱动 在电机驱动电路中,FDP18N50可以用于控制电机的启动、停止和调速。由于其良好的开关特性和耐压能力(最大漏源电压Vds为500V),它可以承受电机启动时的高电压冲击,并且能够快速响应控制信号,确保电机运行的稳定性和可靠性。此外,FDP18N50还适用于步进电机、无刷直流电机等不同类型的电机驱动。 3. 工业自动化 在工业自动化领域,FDP18N50可用于各类传感器接口、执行器控制以及PLC(可编程逻辑控制器)中的开关电路。它的高耐压和低功耗特性使其能够在恶劣的工业环境中长期稳定工作,适应复杂的电气环境,确保系统的可靠性和安全性。 4. 新能源领域 FDP18N50在太阳能逆变器、风力发电系统等新能源设备中也有广泛应用。它可以在这些系统中充当功率开关,负责将直流电转换为交流电,或将能量从储能装置传输到负载端。其高效的开关性能有助于提高能源转换效率,降低能耗。 5. 家电产品 在家电产品中,如空调、冰箱、洗衣机等,FDP18N50可以用于压缩机、风扇等部件的控制电路中。它能够提供稳定的电流输出,确保家电设备的正常运行,同时具备良好的过热保护功能,延长设备使用寿命。 总之,FDP18N50凭借其优异的电气性能和可靠性,在多个领域都有着广泛的应用前景。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 500V 18A TO-220MOSFET 500V N-Channel PowerTrenchAr MOSFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 8 A |
Id-连续漏极电流 | 8 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDP18N50UniFET™ |
数据手册 | |
产品型号 | FDP18N50 |
PCN封装 | |
Pd-PowerDissipation | 38.5 W |
Pd-功率耗散 | 38.5 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 265 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 265 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
上升时间 | 165 ns |
下降时间 | 90 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2860pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 60nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 265 毫欧 @ 9A,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220 |
典型关闭延迟时间 | 95 ns |
功率-最大值 | 235W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 1.800 g |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 50 |
正向跨导-最小值 | 25 S |
漏源极电压(Vdss) | 500V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 9A (Tc) |
系列 | FDP18N50 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |