ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > FDP12N60NZ
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
FDP12N60NZ产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDP12N60NZ由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDP12N60NZ价格参考。Fairchild SemiconductorFDP12N60NZ封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 600V 12A(Tc) 240W(Tc) TO-220-3。您可以下载FDP12N60NZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDP12N60NZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDP12N60NZ 是由ON Semiconductor(现为安森美半导体)生产的一款单通道MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),具体来说是一款N沟道增强型功率MOSFET。它广泛应用于需要高效功率转换和开关操作的场景中,主要特点包括低导通电阻、高击穿电压和快速开关特性。 应用场景 1. 电源管理: - FDP12N60NZ 常用于各种电源管理系统中,例如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和逆变器。其高击穿电压(600V)使其适合高压应用,而低导通电阻则有助于减少传导损耗,提高效率。 2. 电机驱动: - 在电机驱动电路中,该MOSFET可以作为开关元件,控制电机的启动、停止和速度调节。其快速开关特性和低损耗特性使得它在高频驱动应用中表现优异。 3. 工业自动化: - 该器件适用于工业自动化设备中的各类开关和控制电路,如PLC(可编程逻辑控制器)、伺服驱动器等。它能够承受较高的电压和电流波动,确保系统的稳定运行。 4. 太阳能逆变器: - 在太阳能光伏发电系统中,FDP12N60NZ 可用于逆变器电路,将直流电转换为交流电。其高效的开关性能和耐高压特性非常适合这种应用场景。 5. 汽车电子: - 在汽车电子系统中,该MOSFET可用于车载充电器、电池管理系统(BMS)、电动助力转向(EPS)等。其可靠的性能和抗干扰能力使其能够在严苛的汽车环境中稳定工作。 6. 家电产品: - 在家用电器如空调、洗衣机、冰箱等中,FDP12N60NZ 可用于压缩机驱动、风扇控制等电路,提供高效的电力转换和控制功能。 总之,FDP12N60NZ 凭借其优异的电气特性,在多种需要高效功率管理和开关操作的应用中表现出色,是许多工程师在设计相关电路时的首选器件之一。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 600V 12A TO-220MOSFET 600V N-Chan MOSFET UniFET-II |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 12 A |
Id-连续漏极电流 | 12 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDP12N60NZUniFET-II™ |
数据手册 | |
产品型号 | FDP12N60NZ |
PCN封装 | |
Pd-PowerDissipation | 240 W |
Pd-功率耗散 | 240 W |
Qg-GateCharge | 26 nC |
Qg-栅极电荷 | 26 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 530 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 530 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 5 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 5 V |
上升时间 | 50 ns |
下降时间 | 60 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1676pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 34nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 650 毫欧 @ 6A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220 |
功率-最大值 | 240W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 1.800 g |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
标准包装 | 50 |
正向跨导-最小值 | 13.5 S |
漏源极电压(Vdss) | 600V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 12A (Tc) |
系列 | FDP12N60NZ |