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  • 型号: FDP12N60NZ
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FDP12N60NZ产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDP12N60NZ由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDP12N60NZ价格参考。Fairchild SemiconductorFDP12N60NZ封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 600V 12A(Tc) 240W(Tc) TO-220-3。您可以下载FDP12N60NZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDP12N60NZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 600V 12A TO-220MOSFET 600V N-Chan MOSFET UniFET-II

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

12 A

Id-连续漏极电流

12 A

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDP12N60NZUniFET-II™

数据手册

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产品型号

FDP12N60NZ

PCN封装

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Pd-PowerDissipation

240 W

Pd-功率耗散

240 W

Qg-GateCharge

26 nC

Qg-栅极电荷

26 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

530 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

530 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

600 V

Vds-漏源极击穿电压

600 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

5 V

Vgsth-栅源极阈值电压

5 V

上升时间

50 ns

下降时间

60 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1676pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

34nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

650 毫欧 @ 6A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220

功率-最大值

240W

包装

管件

单位重量

1.800 g

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3 整包

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

标准包装

50

正向跨导-最小值

13.5 S

漏源极电压(Vdss)

600V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

12A (Tc)

系列

FDP12N60NZ

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