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  • 型号: FDP100N10
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FDP100N10产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDP100N10由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDP100N10价格参考。Fairchild SemiconductorFDP100N10封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 100V 75A(Tc) 208W(Tc) TO-220-3。您可以下载FDP100N10参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDP100N10 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FDP100N10 是由 ON Semiconductor 生产的 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)。该型号的 MOSFET 具有 100V 的最大漏源电压 (VDS) 和 10A 的最大连续漏极电流 (ID),适用于多种应用场景,尤其是在功率转换和电机控制领域。

 应用场景

1. 电源管理:
   - FDP100N10 可用于开关电源 (SMPS) 中,作为高效的开关元件。其低导通电阻 (RDS(on)) 特性有助于减少传导损耗,提高电源转换效率。
   - 在 DC-DC 转换器中,MOSFET 作为同步整流器或主开关,能够实现高效的能量传输。

2. 电机驱动:
   - 该 MOSFET 适合用于无刷直流电机 (BLDC) 或步进电机的驱动电路中。它能够快速切换状态,提供足够的电流来驱动电机,并且具有较低的热损耗。
   - 在电动工具、家用电器和工业自动化设备中,FDP100N10 可以有效地控制电机的速度和方向。

3. 电池管理系统 (BMS):
   - 在电池保护电路中,FDP100N10 可以用于过流保护和短路保护。当检测到异常情况时,MOSFET 可以迅速切断电流路径,保护电池和负载免受损坏。
   - 它还可以用于电池充电电路中,作为充电路径的控制开关。

4. LED 驱动:
   - 对于大功率 LED 照明系统,FDP100N10 可以用作恒流驱动器中的开关元件。通过 PWM 控制,它可以调节 LED 的亮度,同时保持电流的稳定性,延长 LED 的使用寿命。

5. 汽车电子:
   - 在汽车电子系统中,如车载充电器、逆变器和电动助力转向系统 (EPS) 中,FDP100N10 可以承受较高的工作电压和电流,确保系统的稳定性和可靠性。

6. 消费电子产品:
   - 在笔记本电脑适配器、智能手机快充模块等消费电子产品中,FDP100N10 可以用于功率管理部分,提供高效且稳定的电力传输。

总之,FDP100N10 凭借其优异的电气性能和可靠性,广泛应用于各种需要高效功率控制的场合,特别适合对功耗和散热有严格要求的应用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 100V 75A TO-220MOSFET 100V N-Channel PowerTrench

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

75 A

Id-连续漏极电流

75 A

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDP100N10PowerTrench®

数据手册

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产品型号

FDP100N10

PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

208 W

Pd-功率耗散

208 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

10 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

10 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

100 V

Vds-漏源极击穿电压

100 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

265 ns

下降时间

115 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

7300pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

100nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

10 毫欧 @ 75A,10V

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220

典型关闭延迟时间

125 ns

功率-最大值

208W

包装

管件

单位重量

1.800 g

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

导通电阻

10 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

汲极/源极击穿电压

100 V

漏极连续电流

75 A

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

75A (Tc)

系列

FDP100N10

通道模式

Enhancement

配置

Single

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