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FDP100N10产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDP100N10由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDP100N10价格参考。Fairchild SemiconductorFDP100N10封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 100V 75A(Tc) 208W(Tc) TO-220-3。您可以下载FDP100N10参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDP100N10 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDP100N10 是由 ON Semiconductor 生产的 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)。该型号的 MOSFET 具有 100V 的最大漏源电压 (VDS) 和 10A 的最大连续漏极电流 (ID),适用于多种应用场景,尤其是在功率转换和电机控制领域。 应用场景 1. 电源管理: - FDP100N10 可用于开关电源 (SMPS) 中,作为高效的开关元件。其低导通电阻 (RDS(on)) 特性有助于减少传导损耗,提高电源转换效率。 - 在 DC-DC 转换器中,MOSFET 作为同步整流器或主开关,能够实现高效的能量传输。 2. 电机驱动: - 该 MOSFET 适合用于无刷直流电机 (BLDC) 或步进电机的驱动电路中。它能够快速切换状态,提供足够的电流来驱动电机,并且具有较低的热损耗。 - 在电动工具、家用电器和工业自动化设备中,FDP100N10 可以有效地控制电机的速度和方向。 3. 电池管理系统 (BMS): - 在电池保护电路中,FDP100N10 可以用于过流保护和短路保护。当检测到异常情况时,MOSFET 可以迅速切断电流路径,保护电池和负载免受损坏。 - 它还可以用于电池充电电路中,作为充电路径的控制开关。 4. LED 驱动: - 对于大功率 LED 照明系统,FDP100N10 可以用作恒流驱动器中的开关元件。通过 PWM 控制,它可以调节 LED 的亮度,同时保持电流的稳定性,延长 LED 的使用寿命。 5. 汽车电子: - 在汽车电子系统中,如车载充电器、逆变器和电动助力转向系统 (EPS) 中,FDP100N10 可以承受较高的工作电压和电流,确保系统的稳定性和可靠性。 6. 消费电子产品: - 在笔记本电脑适配器、智能手机快充模块等消费电子产品中,FDP100N10 可以用于功率管理部分,提供高效且稳定的电力传输。 总之,FDP100N10 凭借其优异的电气性能和可靠性,广泛应用于各种需要高效功率控制的场合,特别适合对功耗和散热有严格要求的应用。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 100V 75A TO-220MOSFET 100V N-Channel PowerTrench |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 75 A |
Id-连续漏极电流 | 75 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDP100N10PowerTrench® |
数据手册 | |
产品型号 | FDP100N10 |
PCN设计/规格 | |
Pd-PowerDissipation | 208 W |
Pd-功率耗散 | 208 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 10 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 10 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 265 ns |
下降时间 | 115 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7300pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 100nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 10 毫欧 @ 75A,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220 |
典型关闭延迟时间 | 125 ns |
功率-最大值 | 208W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 1.800 g |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
导通电阻 | 10 mOhms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 50 |
汲极/源极击穿电压 | 100 V |
漏极连续电流 | 75 A |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 75A (Tc) |
系列 | FDP100N10 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |