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FDP090N10产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDP090N10由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDP090N10价格参考。Fairchild SemiconductorFDP090N10封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 100V 75A(Tc) 208W(Tc) TO-220-3。您可以下载FDP090N10参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDP090N10 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDP090N10是ON Semiconductor(现为安森美半导体)生产的一款N沟道增强型MOSFET晶体管,其主要应用场景广泛应用于各种电源管理和功率转换系统中。以下是该型号的具体应用场景: 1. 开关电源(SMPS) FDP090N10常用于开关电源中的主开关管,特别是在反激式、正激式、降压式(Buck)、升压式(Boost)等拓扑结构中。它具有较低的导通电阻(Rds(on)),能够有效降低功耗,提高效率。其耐压值为100V,适用于中低压电源设计。 2. 电机驱动 在小型电机驱动应用中,FDP090N10可以用作H桥电路或半桥电路中的功率开关,控制电机的正反转和速度调节。其快速开关特性和低损耗特性有助于提高电机驱动系统的响应速度和能效。 3. 电池管理系统(BMS) FDP090N10可用于电池管理系统的保护电路中,作为充电和放电路径的开关。它可以防止过流、短路等异常情况,确保电池的安全运行。其低导通电阻也有助于减少电池充放电过程中的能量损失。 4. DC-DC转换器 在DC-DC转换器中,FDP090N10可以作为主开关管或同步整流管使用。其快速开关特性和低导通电阻使得它在高频开关应用中表现出色,能够有效提高转换效率并减小电路尺寸。 5. 负载开关 FDP090N10可用作负载开关,控制电源与负载之间的通断。它的低导通电阻和快速开关特性使其适合用于需要频繁切换的场景,如移动设备、便携式电子产品等。 6. 逆变器 在小型逆变器中,FDP090N10可以作为功率输出级的开关管,将直流电转换为交流电。其耐压和电流能力足以应对常见的逆变器应用需求。 7. LED驱动 FDP090N10也可用于LED驱动电路中,特别是在恒流源设计中。它可以通过PWM调光等方式控制LED的亮度,同时保持高效能和稳定性。 总之,FDP090N10凭借其优异的电气性能和可靠性,成为许多功率电子应用中的理想选择,尤其是在需要高效、紧凑和可靠解决方案的场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 100V 75A TO-220MOSFET 100V 75A N-Chan PowerTrench |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 75 A |
Id-连续漏极电流 | 75 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDP090N10PowerTrench® |
数据手册 | |
产品型号 | FDP090N10 |
PCN封装 | |
PCN设计/规格 | |
Pd-PowerDissipation | 208 W |
Pd-功率耗散 | 208 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 9 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 9 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 322 ns |
下降时间 | 149 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 8225pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 116nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 9 毫欧 @ 75A,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220 |
典型关闭延迟时间 | 166 ns |
功率-最大值 | 208W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 1.800 g |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 50 |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 75A (Tc) |
系列 | FDP090N10 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |