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  • 型号: FDP054N10
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FDP054N10产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDP054N10由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDP054N10价格参考。Fairchild SemiconductorFDP054N10封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 100V 120A(Tc) 263W(Tc) TO-220AB。您可以下载FDP054N10参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDP054N10 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ON Semiconductor(安森美)的FDP054N10是一款N沟道增强型MOSFET,具有100V的耐压能力、低导通电阻(Rds(on))以及高电流处理能力。其主要应用场景包括但不限于以下领域:

 1. 开关电源 (SMPS)
   - FDP054N10适用于各种开关电源设计,例如降压(Buck)、升压(Boost)、反激(Flyback)和正激(Forward)拓扑。
   - 其低导通电阻特性可降低功率损耗,提高效率,特别适合中小功率范围的应用。

 2. 电机驱动
   - 在小型直流电机或步进电机驱动中,该MOSFET可用作开关元件,实现对电机速度和方向的精确控制。
   - 高速开关能力和低功耗使其在高效电机驱动电路中表现出色。

 3. DC-DC转换器
   - 作为同步整流器或主开关管,用于设计高效的DC-DC转换器。
   - 常见于汽车电子、工业设备和消费类电子产品中的电压调节模块。

 4. 负载开关
   - 用作负载开关以控制电路中不同负载的供电状态,确保系统的稳定性和安全性。
   - 特别适用于需要快速开启/关闭功能的应用场景。

 5. 电池管理系统 (BMS)
   - 在电池保护电路中,FDP054N10可用于过流保护、短路保护和充放电控制。
   - 它的低导通电阻有助于减少电池系统中的能量损失。

 6. 逆变器
   - 在小型逆变器中作为功率开关,将直流电转换为交流电,应用于家用电器或便携式设备。

 7. LED驱动
   - 用于大功率LED照明系统的恒流驱动电路中,提供高效的电流调节和保护功能。

 8. 工业自动化
   - 在工业控制领域,如可编程逻辑控制器 (PLC) 或传感器接口中,用作信号放大或负载切换的开关元件。

FDP054N10凭借其出色的性能参数和可靠性,广泛适用于多种电力电子应用,尤其在需要高效能、低热耗的场景下表现优异。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 100V TO-220AB-3MOSFET 100V N-Chan PowerTrench MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

144 A

Id-连续漏极电流

144 A

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDP054N10PowerTrench®

数据手册

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产品型号

FDP054N10

PCN封装

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PCN设计/规格

点击此处下载产品Datasheet

Pd-PowerDissipation

263 W

Pd-功率耗散

263 W

Qg-GateCharge

156 nC

Qg-栅极电荷

156 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

5.5 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

5.5 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

100 V

Vds-漏源极击穿电压

100 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

92 ns

下降时间

39 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

13280pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

203nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

5.5 毫欧 @ 75A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220-3

典型关闭延迟时间

80 ns

功率-最大值

263W

包装

管件

单位重量

2.421 g

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

5.5 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3 成形引线

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

正向跨导-最小值

192 S

汲极/源极击穿电压

100 V

漏极连续电流

144 A

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

120A (Tc)

系列

FDP054N10

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