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  • 型号: FDP047N10
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FDP047N10产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDP047N10由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDP047N10价格参考¥12.12-¥12.67。Fairchild SemiconductorFDP047N10封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 100V 120A(Tc) 375W(Tc) TO-220AB。您可以下载FDP047N10参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDP047N10 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FDP047N10 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。以下是其主要应用场景:

 1. 电源管理
   - 开关电源 (SMPS):FDP047N10 的低导通电阻(Rds(on) = 47 mΩ @ Vgs = 10V)使其非常适合用于高效能的开关电源设计,能够减少功率损耗。
   - DC-DC 转换器:在降压或升压转换器中作为主开关或同步整流器使用,提供高效的电压转换。
   - 负载开关:用于动态控制电路中的电流流动,确保设备在待机或关断模式下的低功耗。

 2. 电机驱动
   - 小型直流电机控制:适用于驱动小型风扇、玩具电机或其他低功率直流电机,提供精确的速度和方向控制。
   - H 桥电路:与其他 MOSFET 配合,构建 H 桥以实现电机的双向驱动。

 3. 电池管理系统
   - 保护电路:用于锂离子电池或其他可充电电池组的过流、短路保护。
   - 充放电控制:通过快速切换状态来管理电池的充放电过程,延长电池寿命。

 4. 工业自动化
   - 固态继电器:替代传统机械继电器,用于高频率、低噪声的开关操作。
   - 传感器接口:驱动工业传感器或执行器,提供可靠的信号传输和功率放大。

 5. 消费电子
   - 音频设备:用于功率放大器中的开关或保护电路,确保音频信号的稳定输出。
   - LED 驱动:为高亮度 LED 提供恒定电流驱动,应用于照明或背光系统。

 6. 通信设备
   - 信号调节:在通信模块中用作信号路径的开关,支持高速数据传输。
   - 天线调谐:用于射频前端的天线切换或匹配网络调整。

 特性总结
FDP047N10 的额定电压为 100V,额定电流为 30A(脉冲),具有较低的导通电阻和较高的效率,适合需要高频开关和低功耗的应用场景。同时,其紧凑的封装形式(如 TO-220 或 DPAK)便于集成到各种电子系统中。

总之,FDP047N10 广泛应用于需要高效功率转换、精确电流控制和可靠开关性能的领域,是许多电力电子设计的理想选择。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 100V 120A TO-220MOSFET 100V N-Channel PowerTrench

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

164 A

Id-连续漏极电流

164 A

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDP047N10PowerTrench®

数据手册

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产品型号

FDP047N10

PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

375 W

Pd-功率耗散

375 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

4.7 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

4.7 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

100 V

Vds-漏源极击穿电压

100 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

386 ns

下降时间

244 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

15265pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

210nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

4.7 毫欧 @ 75A,10V

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220

典型关闭延迟时间

344 ns

功率-最大值

375W

包装

管件

单位重量

2.421 g

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

120A (Tc)

系列

FDP047N10

通道模式

Enhancement

配置

Single

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