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Datasheet下载- 型号： FDP047AN08A0
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDP047AN08A0由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDP047AN08A0价格参考。Fairchild SemiconductorFDP047AN08A0封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 75V 15A（Tc） 310W（Tc） TO-220-3。您可以下载FDP047AN08A0参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDP047AN08A0 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDP047AN08A0 是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的N沟道增强型MOSFET，属于晶体管 - FET，MOSFET - 单一类别。以下是其主要应用场景： 1. 开关电源 (SMPS)： FDP047AN08A0 适用于开关电源中的高频开关应用。其低导通电阻（Rds(on)）和快速开关速度使其在功率转换电路中表现出色，能够有效降低功耗并提高效率。 2. DC-DC 转换器： 在降压或升压 DC-DC 转换器中，该 MOSFET 可作为主开关或同步整流器使用。其低 Rds(on) 特性有助于减少导通损耗，从而提升整体效率。 3. 电机驱动： 该器件适合用于小型直流电机或步进电机的驱动电路。它能够承受较高的电流负载，并提供稳定的开关性能，确保电机运行平稳。 4. 负载切换： 在需要频繁开启或关闭负载的系统中（如汽车电子、工业控制），FDP047AN08A0 可用作高效的负载切换开关，具有低导通损耗和高可靠性。 5. 电池管理系统 (BMS)： 该 MOSFET 可用于保护电路中，实现电池充放电的过流保护和短路保护。其低导通电阻有助于减少电池能量损耗。 6. 逆变器： 在小型逆变器应用中，FDP047AN08A0 可作为功率开关元件，将直流电转换为交流电，广泛应用于太阳能逆变器或家用电器中。 7. LED 驱动： 在大功率 LED 照明系统中，该 MOSFET 可用于恒流驱动电路，确保 LED 的亮度稳定且高效。 8. 通信设备： 由于其出色的电气特性和可靠性，FDP047AN08A0 还可用于通信设备中的信号调节和功率管理模块。 总之，FDP047AN08A0 凭借其低导通电阻、高电流能力和快速开关特性，非常适合各种功率转换、驱动和保护应用，尤其在需要高效能和高可靠性的场景中表现优异。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 75V 80A TO-220ABMOSFET 75V N-Ch PowerTrench |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 80 A |
| Id-连续漏极电流 | 80 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDP047AN08A0PowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDP047AN08A0 |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 310 W |
| Pd-功率耗散 | 310 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 4 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 4 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 75 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 75 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 88 ns |
| 下降时间 | 45 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6600pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 138nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.7 毫欧 @ 80A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | FDP047AN08A0-ND |
| 典型关闭延迟时间 | 40 ns |
| 功率-最大值 | 310W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 1.800 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 400 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 75V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 15A （Tc） |
| 系列 | FDP047AN08A0 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | FDP047AN08A0_NL |
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