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Datasheet下载- 型号： FDP036N10A
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDP036N10A由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDP036N10A价格参考￥12.85-￥28.35。Fairchild SemiconductorFDP036N10A封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 100V 120A（Tc） 333W（Tc） TO-220-3。您可以下载FDP036N10A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDP036N10A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDP036N10A 是由 ON Semiconductor 生产的单个 FET（场效应晶体管）、MOSFET 器件。它是一款 N 通道增强型 MOSFET，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于多种电力电子应用。 应用场景： 1. 电源管理： - FDP036N10A 常用于 DC-DC 转换器、降压/升压转换器等电源管理系统中。其低导通电阻（Rds(on)）能够减少功率损耗，提高效率。 - 在笔记本电脑、智能手机和平板电脑的充电电路中，该 MOSFET 可以用于控制电源的开关，确保稳定的电压输出。 2. 电机驱动： - 在小型电机驱动电路中，FDP036N10A 可以作为开关元件，控制电机的启动、停止和速度调节。其快速开关特性有助于实现高效的 PWM（脉宽调制）控制。 - 例如，在无人机、电动工具和家用电器（如风扇、水泵）中，该 MOSFET 可以用于驱动无刷直流电机（BLDC）或步进电机。 3. 电池管理系统 (BMS)： - 在电池管理系统中，FDP036N10A 可以用于电池保护电路，防止过充、过放和短路等情况。它能够快速响应并切断电流路径，保护电池组的安全。 - 电动汽车和便携式电子设备中的锂电池组通常会使用这种 MOSFET 来进行充放电控制。 4. 负载开关： - FDP036N10A 可以用作负载开关，控制不同负载之间的电源分配。它可以在需要时迅速接通或断开电源，避免不必要的功耗。 - 例如，在多路供电系统中，该 MOSFET 可以根据需求选择性地为特定模块供电，从而优化系统的整体功耗。 5. 逆变器和 UPS 系统： - 在逆变器和不间断电源（UPS）系统中，FDP036N10A 可以用于 AC-DC 或 DC-AC 转换电路，帮助实现高效的能量转换。 - 它的高耐压能力和快速开关特性使其适合在这些高压、大电流的应用环境中工作。 总的来说，FDP036N10A 凭借其优异的电气性能和可靠性，广泛应用于各种电力电子设备中，尤其是在对效率和响应速度有较高要求的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V TO-220AB-3MOSFET PT5 NCH 100V 3.6Mohm PowerTrench MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 176 A |
| Id-连续漏极电流 | 176 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDP036N10APowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDP036N10A |
| PCN封装 | |
| PCN组件/产地 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 227 W |
| Pd-功率耗散 | 227 W |
| Qg-GateCharge | 89 nC |
| Qg-栅极电荷 | 89 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3.6 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3.6 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7295pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 116nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.6 毫欧 @ 75A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220-3 |
| 功率-最大值 | 227W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 1.800 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 成形引线 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 167 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 120A （Tc） |
| 系列 | FDP036N10A |
| 配置 | Single |
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