ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > FDP027N08B
Datasheet下载- 型号： FDP027N08B
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDP027N08B由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDP027N08B价格参考。Fairchild SemiconductorFDP027N08B封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 80V 120A（Tc） 246W（Tc） TO-220-3。您可以下载FDP027N08B参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDP027N08B 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 80V 223A TO-220-3 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | FDP027N08B |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 13530pF @ 40V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 178nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.7 毫欧 @ 100A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220-3 |
| 功率-最大值 | 246W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 80V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 120A （Tc） |
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