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产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 60V 120A TO-220-3MOSFET N-Channel PwrTrench 60V 313A 2mOhm |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-连续漏极电流 | 313 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDP020N06B_F102PowerTrench® |
数据手册 | |
产品型号 | FDP020N06B_F102 |
Pd-PowerDissipation | 333 W |
Pd-功率耗散 | 333 W |
RdsOn-漏源导通电阻 | 1.65 mOhms |
Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 20930pF @ 30V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 268nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2 毫欧 @ 100A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220-3 |
其它名称 | FDP020N06B |
功率-最大值 | 333W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 1.800 g |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
导通电阻 | 1.65 mOhms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 400 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 50 |
汲极/源极击穿电压 | 60 V |
漏极连续电流 | 313 A |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 120A (Tc) |
系列 | FDP020N06B |