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FDN8601产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDN8601由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDN8601价格参考。Fairchild SemiconductorFDN8601封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 100V 2.7A(Ta) 1.5W(Ta) SuperSOT-3。您可以下载FDN8601参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDN8601 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 100V 2.7A 3SSOTMOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 2.7 A |
Id-连续漏极电流 | 2.7 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDN8601PowerTrench® |
数据手册 | |
产品型号 | FDN8601 |
PCN封装 | |
PCN组件/产地 | |
Pd-PowerDissipation | 1.5 W |
Pd-功率耗散 | 1.5 W |
Qg-GateCharge | 3 nC |
Qg-栅极电荷 | 3 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 85.4 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 85.4 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 3 V |
上升时间 | 1.3 ns |
下降时间 | 3.4 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 210pF @ 50V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 5nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 109 毫欧 @ 1.5A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 3-SSOT |
其它名称 | FDN8601CT |
功率-最大值 | 600mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
单位重量 | 30 mg |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/箱体 | SSOT-3 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 8 S |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.7A (Ta) |
系列 | FDN8601 |