ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > FDN8601
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
FDN8601产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDN8601由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDN8601价格参考。Fairchild SemiconductorFDN8601封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 100V 2.7A(Ta) 1.5W(Ta) SuperSOT-3。您可以下载FDN8601参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDN8601 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的FDN8601是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),其应用场景非常广泛,尤其适用于低电压和低功耗的电路设计。以下是该型号的具体应用场景: 1. 便携式电子设备 FDN8601因其低导通电阻(Rds(on))和小封装尺寸(SOT-23),非常适合用于便携式电子设备中。例如: - 智能手机和平板电脑:用于电源管理、电池充电控制以及背光驱动等。 - 可穿戴设备:如智能手表、健康监测器等,要求体积小巧且功耗低的设备。 2. 电源管理 该MOSFET可以用于各种电源管理应用,特别是在低压环境下: - DC-DC转换器:作为开关元件,帮助实现高效的电压转换。 - 负载开关:用于控制不同模块的供电,确保系统在待机或关机时的功耗最小化。 - 线性稳压器:用于调节输出电压,确保稳定供电。 3. 电机驱动 FDN8601可以用于小型直流电机的驱动,特别是在需要精确控制电流和电压的应用中: - 风扇和泵:用于智能家居或工业自动化中的小型电机控制。 - 玩具和小型机器人:提供可靠的电机驱动,确保平稳运行。 4. 信号切换 由于其快速开关特性和低栅极电荷,FDN8601也适用于高速信号切换: - 音频设备:用于模拟和数字信号的切换,确保信号传输的稳定性。 - 通信设备:用于数据传输路径的选择和切换,提高系统的灵活性。 5. 保护电路 FDN8601可以用于构建过流保护和短路保护电路: - USB端口保护:防止外部设备对主机造成损害。 - 电池保护:防止电池过充或过放,延长电池寿命。 总之,FDN8601凭借其低导通电阻、小封装尺寸和快速开关特性,在便携式电子设备、电源管理、电机驱动、信号切换和保护电路等领域有着广泛的应用前景。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 100V 2.7A 3SSOTMOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 2.7 A |
Id-连续漏极电流 | 2.7 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDN8601PowerTrench® |
数据手册 | |
产品型号 | FDN8601 |
PCN封装 | |
PCN组件/产地 | |
Pd-PowerDissipation | 1.5 W |
Pd-功率耗散 | 1.5 W |
Qg-GateCharge | 3 nC |
Qg-栅极电荷 | 3 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 85.4 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 85.4 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 3 V |
上升时间 | 1.3 ns |
下降时间 | 3.4 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 210pF @ 50V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 5nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 109 毫欧 @ 1.5A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 3-SSOT |
其它名称 | FDN8601CT |
功率-最大值 | 600mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
单位重量 | 30 mg |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/箱体 | SSOT-3 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 8 S |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.7A (Ta) |
系列 | FDN8601 |