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  • 型号: FDN5632N_F085
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDN5632N_F085由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDN5632N_F085价格参考。Fairchild SemiconductorFDN5632N_F085封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDN5632N_F085参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDN5632N_F085 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 60V 1.7A SSOT3MOSFET Trans MOS N-Ch 60V 1.7A

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

1.6 A

Id-连续漏极电流

1.6 A

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDN5632N_F085PowerTrench®

数据手册

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产品型号

FDN5632N_F085

PCN封装

点击此处下载产品Datasheet

Pd-PowerDissipation

1.1 W

Pd-功率耗散

1.1 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

98 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

98 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

60 V

Vds-漏源极击穿电压

60 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

1.7 ns

下降时间

1.3 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

475pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

12nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

82 mOhm @ 1.7A, 10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

3-SSOT

其它名称

FDN5632N_F085DKR

典型关闭延迟时间

5.2 ns

功率-最大值

1.1W

包装

Digi-Reel®

单位重量

30 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

98 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SSOT-3

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

汲极/源极击穿电压

60 V

漏极连续电流

1.6 A

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

1.7A (Ta)

系列

FDN5632N

通道模式

Enhancement

配置

Single

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