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Datasheet下载- 型号： FDN5630
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDN5630由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDN5630价格参考￥询价-￥询价。Fairchild SemiconductorFDN5630封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 60V 1.7A（Ta） 500mW（Ta） SuperSOT-3。您可以下载FDN5630参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDN5630 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的FDN5630是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），广泛应用于多种电子设备和电路中。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：FDN5630常用于开关电源、DC-DC转换器等电源管理系统中，作为开关元件控制电流的通断。其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于提高效率，减少能量损耗。 2. 负载开关：在便携式设备如智能手机、平板电脑和其他消费电子产品中，FDN5630可用作负载开关，快速响应负载变化，保护电路免受过流或短路的影响。 3. 电机驱动：该MOSFET适用于小型电机驱动电路，如步进电机、直流电机等。它能够承受一定的电流波动，确保电机稳定运行。 4. 信号切换：在通信设备、音频设备等领域，FDN5630可用于信号路径的切换，实现不同信号源之间的无缝切换，保证信号传输的可靠性和完整性。 5. 电池管理：在锂电池管理系统中，FDN5630可以用于电池充电和放电的控制，防止过充、过放及短路等问题，延长电池寿命。 6. LED驱动：对于LED照明系统，FDN5630可以用作调光控制或恒流源的一部分，精确调节LED亮度，同时保持高效能。 7. 工业自动化：在工业控制系统中，FDN5630可作为传感器接口、执行器驱动等关键组件，参与复杂的自动化流程控制。 8. 汽车电子：尽管FDN5630并非专门针对汽车级应用设计，但在一些非关键性的车载辅助电路中，如车灯控制、音响系统等，它也能发挥重要作用。 总之，FDN5630凭借其优良的电气性能和可靠性，在众多领域都有着广泛的应用前景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 1.7A SSOT3MOSFET SSOT-3 N-CH 60V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 1.7 A |
| Id-连续漏极电流 | 1.7 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDN5630PowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDN5630 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 0.5 W |
| Pd-功率耗散 | 500 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 73 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 73 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 6 ns |
| 下降时间 | 6 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 400pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 100 毫欧 @ 1.7A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 3-SSOT |
| 其它名称 | FDN5630DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 15 ns |
| 功率-最大值 | 460mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 30 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SSOT-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 6 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.7A （Ta） |
| 系列 | FDN5630 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | FDN5630_NL |
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