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FDN537N产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDN537N由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDN537N价格参考。Fairchild SemiconductorFDN537N封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 6.5A(Ta),6.5A(Tc) 1.5W(Ta) SuperSOT-3。您可以下载FDN537N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDN537N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDN537N 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。其主要应用场景包括: 1. 开关电源 (SMPS): FDN537N 具有低导通电阻(Rds(on))和快速开关特性,适用于开关电源中的功率开关或同步整流器。它能够高效地控制电流流动,降低能量损耗。 2. 负载开关: 在消费电子设备中,如智能手机、平板电脑等,FDN537N 可用作负载开关,用于管理不同电路模块的供电状态,从而实现节能和保护功能。 3. 电机驱动: 该器件适合小型直流电机的驱动应用,例如玩具、家用电器或办公自动化设备中的电机控制。其低导通电阻有助于减少电机运行时的功耗。 4. 电池管理: 在便携式设备的电池管理系统中,FDN537N 可用于电池充放电路径的控制,确保电池安全并延长使用寿命。 5. 信号切换: FDN537N 可用作信号切换元件,在音频、视频或其他信号处理电路中实现信号路径的选择与隔离。 6. LED 驱动: 该 MOSFET 可用于驱动高亮度 LED,尤其是在背光显示或照明应用中,提供精确的电流控制以调节亮度。 7. 保护电路: 在过流保护、短路保护或热关断电路中,FDN537N 能够快速响应异常情况,切断电流路径以保护系统免受损害。 总结来说,FDN537N 凭借其优异的性能参数(如低 Rds(on)、小封装尺寸和高可靠性),广泛应用于消费电子、通信设备、工业控制以及汽车电子等领域,满足各种需要高效功率控制和信号切换的需求。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 30V 6.5A SSOT-3MOSFET 30V Single N-Ch PowerTrench MOSFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 8 A |
Id-连续漏极电流 | 8 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDN537NPowerTrench® |
数据手册 | |
产品型号 | FDN537N |
PCN封装 | |
PCN组件/产地 | |
Pd-PowerDissipation | 1.5 W |
Pd-功率耗散 | 1.5 W |
Qg-GateCharge | 8.4 nC |
Qg-栅极电荷 | 8.4 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 36 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 36 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 3 V |
上升时间 | 10 ns |
下降时间 | 10 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 465pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8.4nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 23 毫欧 @ 6.5A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | SuperSOT-3 |
其它名称 | FDN537NDKR |
典型关闭延迟时间 | 19 ns |
功率-最大值 | 600mW |
包装 | Digi-Reel® |
单位重量 | 30 mg |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/箱体 | SSOT-3 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 24 S |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 6.5A (Ta), 6.5A (Tc) |
系列 | FDN537N |
配置 | Single |