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FDN361BN产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDN361BN由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDN361BN价格参考¥1.15-¥4.27。Fairchild SemiconductorFDN361BN封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 1.4A(Ta) 500mW(Ta) SuperSOT-3。您可以下载FDN361BN参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDN361BN 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDN361BN是ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款N沟道增强型MOSFET晶体管,属于“晶体管 - FET,MOSFET - 单”类别。它具有低导通电阻(Rds(on))、快速开关速度和高电流处理能力,适用于多种电子电路中的功率管理与信号切换场景。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理: FDN361BN常用于直流-直流转换器(DC-DC Converter)、开关电源(SMPS)以及负载开关等应用中。其低导通电阻特性可以减少功耗,提高效率。 2. 电机驱动: 该器件适合小型电机控制,例如步进电机、无刷直流电机(BLDC)或风扇电机的驱动电路。通过PWM(脉宽调制)信号调节输出电压或电流。 3. 电池保护与管理: 在便携式设备中,如智能手机、平板电脑或笔记本电脑,FDN361BN可用于电池充放电保护电路,防止过流、短路或反向电流损坏系统。 4. 信号切换与隔离: 作为电子开关,FDN361BN能够实现信号路径的选择性连接或断开,在音频设备、数据通信接口等方面提供可靠的切换功能。 5. 背光驱动: 在LED背光应用中,这款MOSFET可作为驱动元件控制LED电流,确保显示屏亮度均匀且稳定。 6. 消费类电子产品: 广泛应用于各类消费电子产品中,如电视、音响、游戏机等,负责功率分配、信号调理及外围电路控制。 7. 工业自动化: 在工业领域,FDN361BN可用于传感器接口、继电器驱动、电磁阀控制等场合,满足高效能与可靠性的需求。 总之,FDN361BN凭借其出色的电气性能和紧凑封装形式,成为众多低至中等功率应用的理想选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 30V 1.4A SSOT3MOSFET 30V N-Ch LogicLevel PowerTrench MOSFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 1.4 A |
Id-连续漏极电流 | 1.4 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDN361BNPowerTrench® |
数据手册 | |
产品型号 | FDN361BN |
PCN封装 | |
PCN设计/规格 | |
Pd-PowerDissipation | 0.5 W |
Pd-功率耗散 | 500 mW |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 110 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 110 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 8 ns |
下降时间 | 8 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 193pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 1.8nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 110 毫欧 @ 1.4A,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 3-SSOT |
其它名称 | FDN361BNDKR |
典型关闭延迟时间 | 16 ns |
功率-最大值 | 460mW |
包装 | Digi-Reel® |
单位重量 | 30 mg |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/箱体 | SSOT-3 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 1.4A (Ta) |
系列 | FDN361 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |