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  • 型号: FDN360P
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDN360P由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDN360P价格参考。Fairchild SemiconductorFDN360P封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 30V 2A(Ta) 500mW(Ta) SuperSOT-3。您可以下载FDN360P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDN360P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET P-CH 30V 2A SSOT3MOSFET SSOT-3 P-CH -30V

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

2 A

Id-连续漏极电流

2 A

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDN360PPowerTrench®

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产品型号

FDN360P

PCN封装

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PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

0.5 W

Pd-功率耗散

500 mW

RdsOn-Drain-SourceResistance

63 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

63 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 30 V

Vds-漏源极击穿电压

- 30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

13 ns

下降时间

13 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

298pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

9nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

80 毫欧 @ 2A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

3-SSOT

其它名称

FDN360PTR

典型关闭延迟时间

11 ns

功率-最大值

460mW

包装

带卷 (TR)

单位重量

30 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SSOT-3

工厂包装数量

3000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

正向跨导-最小值

5 S

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

2A (Ta)

系列

FDN360P

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

FDN360P_NL

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