ICGOO在线商城 > FDN359BN_F095
图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： FDN359BN_F095
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
FDN359BN_F095产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDN359BN_F095由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供FDN359BN_F095价格参考以及Fairchild SemiconductorFDN359BN_F095封装/规格参数等产品信息。 你可以下载FDN359BN_F095参考资料、Datasheet数据手册功能说明书， 资料中有FDN359BN_F095详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT3MOSFET 30V NCh; PowerTrench AU Wire Parts |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2.7 A |
| Id-连续漏极电流 | 2.7 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDN359BN_F095PowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDN359BN_F095 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 0.5 W |
| Pd-功率耗散 | 500 mW |
| Qg-GateCharge | 5 nC |
| Qg-栅极电荷 | 5 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 26 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 26 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.8 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.8 V |
| 上升时间 | 5 ns |
| 下降时间 | 2 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 650pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 46 毫欧 @ 2.7A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 3-SSOT |
| 其它名称 | FDN359BN |
| 典型关闭延迟时间 | 20 ns |
| 功率-最大值 | 460mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SSOT-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向跨导-最小值 | 11 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.7A （Ta） |
| 系列 | FDN359 |
