ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > FDN359BN
Datasheet下载- 型号： FDN359BN
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDN359BN由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDN359BN价格参考￥0.58-￥0.58。Fairchild SemiconductorFDN359BN封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 30V 2.7A（Ta） 500mW（Ta） SuperSOT-3。您可以下载FDN359BN参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDN359BN 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的FDN359BN是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），广泛应用于多种电子设备和电路中。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理： - FDN359BN常用于开关电源、DC-DC转换器等电源管理系统中，作为高效的开关元件。它能够快速切换导通和截止状态，减少能量损耗，提高电源转换效率。 - 该器件还适用于电池充电电路，控制电流流向，确保电池安全充电。 2. 电机驱动： - 在小型电机驱动应用中，如风扇、泵浦、玩具车等，FDN359BN可以作为功率开关，精确控制电机的启停和转速。 - 它也适用于步进电机和伺服电机的驱动电路，提供高电流输出和低导通电阻，确保电机运行稳定。 3. 负载开关： - 该MOSFET可用作负载开关，实现对不同负载的通断控制。例如，在便携式设备中，它可以用来切断不使用的模块供电，延长电池续航时间。 - 在汽车电子系统中，FDN359BN可用于控制各种传感器、执行器和其他车载设备的电源供应。 4. 信号放大与传输： - 在音频放大器、通信设备等需要信号放大的场合，FDN359BN可以作为放大元件，提供增益并保持良好的线性度。 - 它还可以用于信号传输线路中的隔离或保护，防止过载或短路对后续电路造成损害。 5. 保护电路： - FDN359BN可集成到过流保护、过温保护等电路中，当检测到异常情况时迅速切断电路，保护整个系统的安全。 总之，FDN359BN凭借其低导通电阻、快速开关速度以及宽工作电压范围等优点，在众多领域展现出优异性能，是设计高效、可靠电子产品的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 2.7A 3SSOT |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDN359BN |
| PCN封装 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 650pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 46 毫欧 @ 2.7A，10V |
| 供应商器件封装 | 3-SSOT |
| 其它名称 | FDN359BNFSDKR |
| 功率-最大值 | 460mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.7A （Ta） |
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