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详细数据请看参考数据手册

型号： FDN359AN
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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FDN359AN产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FDN359AN由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDN359AN价格参考。Fairchild SemiconductorFDN359AN封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 N 沟道 30V 2.7A（Ta） 500mW（Ta） SuperSOT-3。您可以下载FDN359AN参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDN359AN 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT-3MOSFET SSOT-3 N-CH 30V
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	2.7 A
Id-连续漏极电流	2.7 A
品牌	Fairchild Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDN359ANPowerTrench®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	FDN359AN
PCN封装	点击此处下载产品Datasheet
PCN设计/规格	点击此处下载产品Datasheet 点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	0.5 W
Pd-功率耗散	500 mW
RdsOn-Drain-SourceResistance	37 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	37 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	30 V
Vds-漏源极击穿电压	30 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
上升时间	13 ns
下降时间	13 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	480pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	7nC @ 5V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	46 毫欧 @ 2.7A，10V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	3-SSOT
其它名称	FDN359ANCT
典型关闭延迟时间	15 ns
功率-最大值	460mW
包装	剪切带（CT）
单位重量	30 mg
商标	Fairchild Semiconductor
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装/箱体	SSOT-3
工厂包装数量	3000
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
正向跨导-最小值	9.5 S
漏源极电压(Vdss)	30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	2.7A （Ta）
系列	FDN359
通道模式	Enhancement
配置	Single
零件号别名	FDN359AN_NL