ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > FDN357N
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
FDN357N产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDN357N由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDN357N价格参考。Fairchild SemiconductorFDN357N封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 1.9A(Ta) 500mW(Ta) SuperSOT-3。您可以下载FDN357N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDN357N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDN357N是由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款N沟道增强型MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)。这款MOSFET具有低导通电阻、快速开关速度和高可靠性等特点,适用于多种应用场景。 主要应用场景: 1. 电源管理: - FDN357N常用于DC-DC转换器、线性稳压器等电源管理系统中。其低导通电阻(Rds(on))可以有效降低功率损耗,提高电源效率。 - 适用于笔记本电脑、平板电脑和其他便携式电子设备的电源管理电路。 2. 负载开关: - 作为负载开关,FDN357N可以快速响应并控制电流的通断,确保系统在启动或关闭时平稳运行,避免过冲或浪涌电流对电路的损害。 - 广泛应用于消费电子设备中的电源切换和保护电路。 3. 电机驱动: - 在小型电机驱动应用中,FDN357N可以作为开关元件,控制电机的启停和方向。其快速开关特性有助于实现高效的PWM(脉宽调制)控制。 - 适用于打印机、扫描仪、风扇等设备中的电机控制。 4. 电池管理系统: - FDN357N可用于电池保护电路,防止过充、过放和短路等问题。其低导通电阻有助于减少电池发热,延长电池寿命。 - 应用于锂电池、镍氢电池等可充电电池组的保护电路。 5. 信号切换: - 在通信和数据传输领域,FDN357N可以用作信号切换元件,实现不同信号路径的选择和隔离,确保信号的完整性和稳定性。 - 适用于USB接口、音频信号切换等场景。 6. LED驱动: - FDN357N可用于LED驱动电路,通过PWM调光或恒流控制来调节LED亮度。其快速开关特性和低导通电阻有助于提高LED照明系统的效率和可靠性。 - 适用于背光显示、指示灯、装饰照明等LED应用。 总之,FDN357N凭借其优异的电气性能和可靠性,在各种需要高效开关和低损耗的应用中表现出色,广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备等领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 30V 1.9A SSOT3MOSFET SSOT-3 N-CH 30V |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 1.9 A |
Id-连续漏极电流 | 1.9 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDN357N- |
数据手册 | |
产品型号 | FDN357N |
PCN封装 | |
PCN设计/规格 | |
Pd-PowerDissipation | 0.5 W |
Pd-功率耗散 | 500 mW |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 81 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 81 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 12 ns |
下降时间 | 12 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 235pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 5.9nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 60 毫欧 @ 2.2A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 3-SSOT |
其它名称 | FDN357NDKR |
典型关闭延迟时间 | 12 ns |
功率-最大值 | 460mW |
包装 | Digi-Reel® |
单位重量 | 30 mg |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/箱体 | SSOT-3 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 5 S |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 1.9A (Ta) |
系列 | FDN357N |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
零件号别名 | FDN357N_NL |