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FDN339AN产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDN339AN由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDN339AN价格参考¥0.42-¥0.42。Fairchild SemiconductorFDN339AN封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 20V 3A(Ta) 500mW(Ta) SuperSOT-3。您可以下载FDN339AN参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDN339AN 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDN339AN 是由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)。它广泛应用于各种电子设备中,尤其适用于需要高效开关和低功耗的场景。以下是 FDN339AN 的一些典型应用场景: 1. 电源管理 FDN339AN 常用于电源管理系统中,如 DC-DC 转换器、线性稳压器等。由于其低导通电阻(Rds(on)),能够有效减少功率损耗,提高转换效率,特别适合用于便携式设备、消费电子产品和工业控制系统中的电源管理模块。 2. 电机驱动 在小型电机驱动应用中,FDN339AN 可以作为开关元件,控制电机的启停和转速。例如,在风扇、泵、玩具车等小型电机驱动电路中,MOSFET 的快速开关特性和低功耗特性使其成为理想的选择。 3. 负载开关 FDN339AN 还可以用作负载开关,用于控制电流流向特定的负载。例如,在电池供电设备中,MOSFET 可以根据需要接通或断开负载,从而延长电池寿命。它还可以用于保护电路,防止过流、短路等情况发生。 4. 信号切换 在信号切换应用中,FDN339AN 可以用于高速信号路径的开关控制。例如,在音频设备、通信设备中,MOSFET 可以用于切换不同的信号源,确保信号传输的稳定性和可靠性。 5. 背光驱动 在液晶显示器(LCD)的背光驱动电路中,FDN339AN 可以用于控制 LED 驱动电流,调节背光亮度。它具有较低的导通电阻和较高的开关速度,能够实现高效的亮度调节,同时减少热量产生。 6. 电池保护 在锂电池保护电路中,FDN339AN 可以用于防止电池过充、过放以及短路等问题。通过精确控制电流的通断,它可以有效地保护电池的安全,延长电池的使用寿命。 总结 FDN339AN 凭借其低导通电阻、快速开关速度和高可靠性,广泛应用于电源管理、电机驱动、负载开关、信号切换、背光驱动和电池保护等领域。它特别适合用于对功耗敏感、要求高效开关的应用场景,如便携式设备、消费电子、工业控制等。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 20V 3A SSOT3MOSFET SSOT-3 N-CH 20V |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平栅极,2.5V 驱动 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 3 A |
Id-连续漏极电流 | 3 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDN339ANPowerTrench® |
数据手册 | |
产品型号 | FDN339AN |
PCN封装 | |
PCN设计/规格 | |
Pd-PowerDissipation | 0.5 W |
Pd-功率耗散 | 500 mW |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 29 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 29 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
上升时间 | 10 ns |
下降时间 | 10 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 700pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 35 毫欧 @ 3A,4.5V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 3-SSOT |
其它名称 | FDN339ANDKR |
典型关闭延迟时间 | 18 ns |
功率-最大值 | 460mW |
包装 | Digi-Reel® |
单位重量 | 30 mg |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/箱体 | SSOT-3 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 11 S |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3A (Ta) |
系列 | FDN339AN |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
零件号别名 | FDN339AN_NL |