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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDN335N由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDN335N价格参考¥0.61-¥0.74。Fairchild SemiconductorFDN335N封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 20V 1.7A(Ta) 500mW(Ta) SuperSOT-3。您可以下载FDN335N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDN335N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 20V 1.7A SSOT3MOSFET SSOT-3 N-CH 20V |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平栅极,2.5V 驱动 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 1.7 A |
Id-连续漏极电流 | 1.7 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDN335NPowerTrench® |
数据手册 | |
产品型号 | FDN335N |
PCN封装 | |
PCN设计/规格 | |
Pd-PowerDissipation | 0.5 W |
Pd-功率耗散 | 500 mW |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 55 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 55 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
上升时间 | 8.5 ns |
下降时间 | 8.5 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 310pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 5nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 70 毫欧 @ 1.7A,4.5V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 3-SSOT |
其它名称 | FDN335NTR |
典型关闭延迟时间 | 11 ns |
功率-最大值 | 460mW |
包装 | 带卷 (TR) |
单位重量 | 30 mg |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/箱体 | SSOT-3 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 3,000 |
正向跨导-最小值 | 7 S |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 1.7A (Ta) |
系列 | FDN335N |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
零件号别名 | FDN335N_NL |