Datasheet下载- 型号： FDMS86263P
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDMS86263P由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMS86263P价格参考￥7.78-￥7.95。Fairchild SemiconductorFDMS86263P封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDMS86263P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDMS86263P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 150V 22A POWER 56MOSFET PT5 150/25V Pch Pwr Trench MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 22 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMS86263PPowerTrench® |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文档才能发货到中国。 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDMS86263P |
| Pd-PowerDissipation | 104 W |
| Qg-GateCharge | 45 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 43 mOhms |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 150 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 4 V |
| 上升时间 | 10 ns |
| 下降时间 | 14 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3905pF @ 75V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 63nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 53 毫欧 @ 4.4A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | Power56 |
| 其它名称 | FDMS86263PDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 37 ns |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 90 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-PowerWDFN |
| 封装/箱体 | Power 56 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.4A （Ta）， 22A （Tc） |
| 配置 | Dual Dual Drain |
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