【晶体管 - FET，MOSFET - 单_FDMS86252L】封装/厂家_FDMS86252L中文资料_价格

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型号： FDMS86252L
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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FDMS86252L产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FDMS86252L由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMS86252L价格参考。Fairchild SemiconductorFDMS86252L封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， N-Channel 150V 4.4A (Ta) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)。您可以下载FDMS86252L参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDMS86252L 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 150V 8-MLPMOSFET 150V N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	4.4 A
Id-连续漏极电流	4.4 A
品牌	Fairchild Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMS86252LPowerTrench®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	FDMS86252L
PCN组件/产地	点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	2.5 W
Pd-功率耗散	2.5 W
RdsOn-Drain-SourceResistance	46 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	46 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	150 V
Vds-漏源极击穿电压	150 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	1.5 V
Vgsth-栅源极阈值电压	1.5 V
上升时间	1.4 ns
下降时间	2.9 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	1335pF @ 75V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	21nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	56 毫欧 @ 4.4A， 10V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	Power56
其它名称	FDMS86252LCT
典型关闭延迟时间	19 ns
功率-最大值	2.5W
包装	剪切带（CT）
单位重量	90 mg
商标	Fairchild Semiconductor
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	8-PowerTDFN
封装/箱体	Power 56-8
工厂包装数量	3000
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
正向跨导-最小值	21 S
漏源极电压(Vdss)	150V
特色产品	http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/fairchild-cloud-systems-computing/4301
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	4.4A （Ta）
系列	FDMS86252