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  • 型号: FDMS86201
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FDMS86201产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDMS86201由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMS86201价格参考。Fairchild SemiconductorFDMS86201封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 120V 11.6A(Ta),35A(Tc) 2.5W(Ta),104W(Tc) 8-PQFN(5x6)。您可以下载FDMS86201参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDMS86201 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 120V POWER56MOSFET 120V N-Channel PowerTrench MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-连续漏极电流

65 A

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMS86201PowerTrench®

数据手册

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产品型号

FDMS86201

PCN组件/产地

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Pd-PowerDissipation

104 W

Pd-功率耗散

104 W

Qg-GateCharge

32 nC

Qg-栅极电荷

32 nC

RdsOn-漏源导通电阻

9.6 mOhms

Vds-漏源极击穿电压

120 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

4 V

Vgsth-栅源极阈值电压

4 V

上升时间

7.7 ns

下降时间

7.1 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2735pF @ 60V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

46nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

11.5 毫欧 @ 11.6A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

Power56

其它名称

FDMS86201DKR

典型关闭延迟时间

27 ns

功率-最大值

2.5W

包装

Digi-Reel®

单位重量

90 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

9.6 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

8-PQFN,Power56

封装/箱体

Power-56-8

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

39 S

汲极/源极击穿电压

120 V

漏极连续电流

65 A

漏源极电压(Vdss)

120V

特色产品

http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/fairchild-cloud-systems-computing/4301

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

11.6A (Ta), 35A (Tc)

系列

FDMS86201

配置

Single

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