ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > FDMS86200DC
Datasheet下载- 型号： FDMS86200DC
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDMS86200DC由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMS86200DC价格参考￥11.81-￥11.81。Fairchild SemiconductorFDMS86200DC封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 150V 9.3A（Ta），28A（Tc） 3.2W（Ta），125W（Tc） Dual Cool™56。您可以下载FDMS86200DC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDMS86200DC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDMS86200DC 是由 ON Semiconductor（现为安森美半导体）生产的一款高性能 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），属于单通道增强型 N 沟道功率 MOSFET。该型号具有低导通电阻、快速开关速度和高耐压等特性，适用于多种应用场景，尤其是在需要高效能、低损耗的电力转换和控制电路中表现优异。 主要应用场景： 1. 电源管理： - FDMS86200DC 适用于各种电源管理系统，如 DC-DC 转换器、AC-DC 适配器、电源模块等。其低导通电阻（Rds(on)）可以显著降低传导损耗，提高电源效率。 - 在笔记本电脑、平板电脑和其他便携式电子设备的充电器中，该器件能够提供高效的电源转换，延长电池寿命并减少发热。 2. 电机驱动： - 该 MOSFET 可用于无刷直流电机（BLDC）、步进电机等的驱动电路中，特别是在电动工具、家用电器（如吸尘器、风扇等）以及工业自动化设备中。其快速开关特性和低损耗有助于提高电机的响应速度和能效。 3. 电池管理系统 (BMS)： - 在电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 的电池管理系统中，FDMS86200DC 可用于电池充放电控制、过流保护和短路保护等环节。其高可靠性和低功耗特性有助于确保电池的安全运行和延长使用寿命。 4. 通信设备： - 在基站、服务器和其他通信基础设施中，该 MOSFET 可用于电源管理和信号调理电路。其出色的热性能和电气特性使其能够在高温环境下稳定工作，确保通信系统的可靠性和稳定性。 5. 消费电子产品： - FDMS86200DC 还广泛应用于智能手机、平板电脑、智能穿戴设备等消费电子产品中，作为负载开关或电源管理芯片的一部分，帮助实现快速充电、低功耗待机等功能。 总之，FDMS86200DC 凭借其卓越的电气性能和可靠性，在电源管理、电机驱动、电池管理、通信设备以及消费电子产品等多个领域有着广泛的应用前景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSF N CH 150V 9.3A POWER 56MOSFET 150V/20V N Channel PowerTrench MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 28 A |
| Id-连续漏极电流 | 28 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMS86200DCDual Cool™， PowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDMS86200DC |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 125 W |
| Pd-功率耗散 | 125 W |
| Qg-GateCharge | 30 nC |
| Qg-栅极电荷 | 30 nC |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 14 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 150 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 150 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3.3 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3.3 V |
| 上升时间 | 4 ns |
| 下降时间 | 5 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2955pF @ 75V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 42nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 17 毫欧 @ 9.3A， 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | Power56 |
| 其它名称 | FDMS86200DCDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 23 ns |
| 功率-最大值 | 3.2W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 90 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 封装/箱体 | Power 56-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 32 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9.3A （Ta）， 28A （Tc） |
| 系列 | FDMS86200 |
| 配置 | Dual |
.jpg)
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
