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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDMS86200DC由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMS86200DC价格参考¥11.81-¥11.81。Fairchild SemiconductorFDMS86200DC封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 150V 9.3A(Ta),28A(Tc) 3.2W(Ta),125W(Tc) Dual Cool™56。您可以下载FDMS86200DC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDMS86200DC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSF N CH 150V 9.3A POWER 56MOSFET 150V/20V N Channel PowerTrench MOSFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 28 A |
Id-连续漏极电流 | 28 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMS86200DCDual Cool™, PowerTrench® |
数据手册 | |
产品型号 | FDMS86200DC |
PCN组件/产地 | |
Pd-PowerDissipation | 125 W |
Pd-功率耗散 | 125 W |
Qg-GateCharge | 30 nC |
Qg-栅极电荷 | 30 nC |
RdsOn-漏源导通电阻 | 14 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 150 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 150 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3.3 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 3.3 V |
上升时间 | 4 ns |
下降时间 | 5 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2955pF @ 75V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 42nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 17 毫欧 @ 9.3A, 10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | Power56 |
其它名称 | FDMS86200DCDKR |
典型关闭延迟时间 | 23 ns |
功率-最大值 | 3.2W |
包装 | Digi-Reel® |
单位重量 | 90 mg |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
封装/箱体 | Power 56-8 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 32 S |
漏源极电压(Vdss) | 150V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 9.3A (Ta), 28A (Tc) |
系列 | FDMS86200 |
配置 | Dual |