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  • 型号: FDMS86200DC
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDMS86200DC由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMS86200DC价格参考¥11.81-¥11.81。Fairchild SemiconductorFDMS86200DC封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 150V 9.3A(Ta),28A(Tc) 3.2W(Ta),125W(Tc) Dual Cool™56。您可以下载FDMS86200DC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDMS86200DC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSF N CH 150V 9.3A POWER 56MOSFET 150V/20V N Channel PowerTrench MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

28 A

Id-连续漏极电流

28 A

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMS86200DCDual Cool™, PowerTrench®

数据手册

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产品型号

FDMS86200DC

PCN组件/产地

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Pd-PowerDissipation

125 W

Pd-功率耗散

125 W

Qg-GateCharge

30 nC

Qg-栅极电荷

30 nC

RdsOn-漏源导通电阻

14 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

150 V

Vds-漏源极击穿电压

150 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

3.3 V

Vgsth-栅源极阈值电压

3.3 V

上升时间

4 ns

下降时间

5 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2955pF @ 75V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

42nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

17 毫欧 @ 9.3A, 10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

Power56

其它名称

FDMS86200DCDKR

典型关闭延迟时间

23 ns

功率-最大值

3.2W

包装

Digi-Reel®

单位重量

90 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-PowerTDFN

封装/箱体

Power 56-8

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

32 S

漏源极电压(Vdss)

150V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

9.3A (Ta), 28A (Tc)

系列

FDMS86200

配置

Dual

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