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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDMS86200由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMS86200价格参考¥6.65-¥6.65。Fairchild SemiconductorFDMS86200封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 150V 9.6A(Ta),35A(Tc) 2.5W(Ta),104W(Tc) 8-PQFN(5x6)。您可以下载FDMS86200参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDMS86200 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDMS86200是ON Semiconductor(安森美半导体)生产的单通道MOSFET晶体管,主要应用于需要高效功率转换和低损耗的场景。该器件具有以下特点和应用场景: 1. 高效能电源管理:FDMS86200适用于各种电源管理系统,如开关模式电源(SMPS)、DC-DC转换器等。它能够在高频率下工作,提供高效的电力传输,同时减少能量损失。其低导通电阻(Rds(on))特性有助于降低传导损耗,提高整体效率。 2. 电机驱动:在电动工具、家用电器及工业自动化设备中,FDMS86200可用于控制电机的启动、停止和调速。其快速开关速度和低功耗特性使得电机驱动更加稳定可靠,延长了设备的使用寿命。 3. 电池管理系统(BMS):该MOSFET可用于保护锂电池组免受过充、过放、短路等问题的影响。通过精确控制电流流动,确保电池安全运行,并优化充电/放电过程中的能量利用。 4. 汽车电子:FDMS86200符合AEC-Q101标准,适合用于车载电子产品,如电动车辆(EV)、混合动力汽车(HEV)中的逆变器、车载充电器以及车身控制系统等。其出色的热性能和耐用性使其能够承受严苛的工作环境。 5. 通信基础设施:在网络通信设备如基站、路由器等中,FDMS86200可以作为功率级元件参与信号放大与处理,保证数据传输的稳定性与准确性。 总之,FDMS86200凭借其优异的电气参数和可靠性,在多个领域展现出广泛的应用前景,特别是在对效率、性能有较高要求的场合下表现尤为突出。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 150V POWER56MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 52 A |
Id-连续漏极电流 | 52 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMS86200PowerTrench® |
数据手册 | |
产品型号 | FDMS86200 |
Pd-PowerDissipation | 104 W |
Pd-功率耗散 | 104 W |
Qg-GateCharge | 33 nC |
Qg-栅极电荷 | 33 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 15 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 15 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 150 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 150 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
上升时间 | 7.9 ns |
下降时间 | 5.8 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2715pF @ 75V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 46nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 18 毫欧 @ 9.6A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | Power56 |
其它名称 | FDMS86200TR |
典型关闭延迟时间 | 27 ns |
功率-最大值 | 2.5W |
包装 | 带卷 (TR) |
单位重量 | 90 mg |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-PQFN,Power56 |
封装/箱体 | Power-56-8 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 3,000 |
正向跨导-最小值 | 33 S |
漏源极电压(Vdss) | 150V |
特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/fairchild-cloud-systems-computing/4301 |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 9.6A (Ta), 35A (Tc) |
系列 | FDMS86200 |
配置 | Single |