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  • 型号: FDMS86200
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDMS86200由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMS86200价格参考¥6.65-¥6.65。Fairchild SemiconductorFDMS86200封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 150V 9.6A(Ta),35A(Tc) 2.5W(Ta),104W(Tc) 8-PQFN(5x6)。您可以下载FDMS86200参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDMS86200 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 150V POWER56MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

52 A

Id-连续漏极电流

52 A

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMS86200PowerTrench®

数据手册

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产品型号

FDMS86200

Pd-PowerDissipation

104 W

Pd-功率耗散

104 W

Qg-GateCharge

33 nC

Qg-栅极电荷

33 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

15 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

15 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

150 V

Vds-漏源极击穿电压

150 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

4 V

Vgsth-栅源极阈值电压

4 V

上升时间

7.9 ns

下降时间

5.8 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2715pF @ 75V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

46nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

18 毫欧 @ 9.6A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

Power56

其它名称

FDMS86200TR

典型关闭延迟时间

27 ns

功率-最大值

2.5W

包装

带卷 (TR)

单位重量

90 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-PQFN,Power56

封装/箱体

Power-56-8

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

正向跨导-最小值

33 S

漏源极电压(Vdss)

150V

特色产品

http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/fairchild-cloud-systems-computing/4301

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

9.6A (Ta), 35A (Tc)

系列

FDMS86200

配置

Single

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